| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-20页 |
| 1.1 前言 | 第8-9页 |
| 1.2 热电基础理论 | 第9-14页 |
| 1.2.1 热电效应 | 第9-12页 |
| 1.2.2 热电性能 | 第12-14页 |
| 1.3 热电应用 | 第14-15页 |
| 1.3.1 温差发电 | 第14-15页 |
| 1.3.2 热电制冷 | 第15页 |
| 1.4 Bi_2Te_3基热电材料的研究进展 | 第15-18页 |
| 1.4.1 块体Bi_2Te_3基热电材料研究现状 | 第16-17页 |
| 1.4.2 纳米Bi_2Te_3基热电材料研究现状 | 第17-18页 |
| 1.5 本课题研究内容及意义 | 第18-20页 |
| 第2章 研究方法 | 第20-26页 |
| 2.1 实验试剂及仪器 | 第20-21页 |
| 2.1.1 实验试剂 | 第20-21页 |
| 2.1.2 实验仪器 | 第21页 |
| 2.2 电化学测试 | 第21-23页 |
| 2.2.1 基材前处理 | 第21-22页 |
| 2.2.2 测试装置 | 第22-23页 |
| 2.2.3 测试溶液 | 第23页 |
| 2.2.4 循环伏安曲线测试 | 第23页 |
| 2.2.5 交流阻抗谱测试 | 第23页 |
| 2.3 Bi-Sb-Te薄膜热电材料的制备 | 第23-25页 |
| 2.3.1 试样 | 第23-24页 |
| 2.3.2 电沉积装置及工艺 | 第24-25页 |
| 2.3.3 电沉积材料的后处理 | 第25页 |
| 2.4 电沉积材料组成、物相及形貌测试 | 第25页 |
| 2.4.1 能谱(EDS)分析 | 第25页 |
| 2.4.2 X射线衍射(XRD)分析 | 第25页 |
| 2.5 性能测试 | 第25-26页 |
| 2.5.1 塞贝克系数测试 | 第25页 |
| 2.5.2 电阻率测试 | 第25-26页 |
| 第3章 硫酸体系p型Bi_xSb_(2-x)Te_3薄膜热电材料电沉积机理研究 | 第26-56页 |
| 3.1 前言 | 第26页 |
| 3.2 研究方法 | 第26-29页 |
| 3.2.1 电化学测试 | 第26-27页 |
| 3.2.2 电化学测试溶液 | 第27-29页 |
| 3.3 配位剂对Bi、Sb、Te单组分溶液的影响 | 第29-46页 |
| 3.3.1 配位剂CMS的影响 | 第29-40页 |
| 3.3.2 CZT的影响 | 第40-46页 |
| 3.4 温度对Bi、Sb、Te单组分溶液的影响 | 第46-50页 |
| 3.4.1 对元素Bi电化学还原过程的影响 | 第46-48页 |
| 3.4.2 对元素Sb电化学还原过程的影响 | 第48-49页 |
| 3.4.3 对元素Te电化学还原过程的影响 | 第49-50页 |
| 3.5 pH值对Bi、Sb、Te单组分溶液的影响 | 第50-53页 |
| 3.5.1 对元素Bi电化学还原过程的影响 | 第50-51页 |
| 3.5.2 对元素Sb电化学还原过程的影响 | 第51-53页 |
| 3.5.3 对元素Te电化学还原过程的影响 | 第53页 |
| 3.6 本章小结 | 第53-56页 |
| 第4章 硫酸体系电化学沉积Bi-Sb-Te薄膜的制备工艺研究 | 第56-74页 |
| 4.1 前言 | 第56页 |
| 4.2 研究方法 | 第56-58页 |
| 4.2.1 电沉积溶液组成 | 第56-58页 |
| 4.2.2 电沉积工艺 | 第58页 |
| 4.2.3 材料结构、成分及性能表征 | 第58页 |
| 4.3 工艺参数对电沉积Bi-Sb-Te薄膜表面形貌和成分的影响 | 第58-70页 |
| 4.3.1 沉积电位的影响 | 第58-60页 |
| 4.3.2 电沉积温度的影响 | 第60-62页 |
| 4.3.3 元素Te浓度的影响 | 第62-64页 |
| 4.3.4 元素Bi浓度的影响 | 第64-66页 |
| 4.3.5 元素Sb浓度的影响 | 第66-68页 |
| 4.3.6 溶液pH值的影响 | 第68-70页 |
| 4.4 电沉积Bi-Sb-Te薄膜的成分及物相分析 | 第70-71页 |
| 4.4.1 电沉积Bi-Sb-Te薄膜的成分分析 | 第70-71页 |
| 4.4.2 电沉积Bi-Sb-Te薄膜的XRD分析 | 第71页 |
| 4.5 电沉积Bi-Sb-Te薄膜材料热电性能分析 | 第71-72页 |
| 4.6 本章小结 | 第72-74页 |
| 第5章 结论与展望 | 第74-76页 |
| 5.1 结论 | 第74-75页 |
| 5.2 展望 | 第75-76页 |
| 参考文献 | 第76-84页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第84-86页 |
| 致谢 | 第86-87页 |
