| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 1 绪论 | 第14-36页 |
| 1.1 层状三维体材料 | 第15-19页 |
| 1.1.1 石墨 | 第15-17页 |
| 1.1.2 过渡金属硫化物 | 第17-18页 |
| 1.1.3 Ⅲ-Ⅴ族化合物 | 第18-19页 |
| 1.2 二维纳米材料 | 第19-29页 |
| 1.2.1 石墨烯(Graphene) | 第21-22页 |
| 1.2.2 六方氮化硼(Hexagonalboronnitride) | 第22-23页 |
| 1.2.3 二维过渡金属硫化物(2Dtransitionmetaldichalcogenides) | 第23-24页 |
| 1.2.4 金属有机框架材料(MOFs)和多孔共价有机框架材料(COFs) | 第24-26页 |
| 1.2.5 VA族元素二维纳米材料(P、As、Sb) | 第26-28页 |
| 1.2.6 ⅥA族元素二维纳米材料(Te) | 第28-29页 |
| 1.3 二维纳米材料的制备 | 第29-31页 |
| 1.3.1 自上而下的方法 | 第29-30页 |
| 1.3.2 自下而上的方法 | 第30-31页 |
| 1.4 二维纳米材料的性能调控 | 第31-34页 |
| 1.5 本论文研究的主要内容 | 第34-36页 |
| 2 理论基础与计算方法 | 第36-50页 |
| 2.1 密度泛函理论(DFT) | 第36-45页 |
| 2.1.1 多体系统的薛定谔方程 | 第36-37页 |
| 2.1.2 Kohn-Sham方程 | 第37-41页 |
| 2.1.3 Kohn-Sham方程的自洽求解过程 | 第41-42页 |
| 2.1.4 基矢函数 | 第42-44页 |
| 2.1.5 赝势 | 第44-45页 |
| 2.2 基于密度泛函理论的晶格动力学 | 第45-47页 |
| 2.3 基于密度泛函理论的分子动力学 | 第47-48页 |
| 2.4 基于密度泛函理论的晶体结构预测 | 第48-50页 |
| 3 一维砷烯纳米带的电子结构以及调控研究 | 第50-63页 |
| 3.1 引言 | 第50-51页 |
| 3.2 计算方法 | 第51-52页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第52-61页 |
| 3.3.1 不同边界类型砷烯纳米带的电子结构研究 | 第52-55页 |
| 3.3.2 电场对砷烯纳米带电子结构的调控研究 | 第55-57页 |
| 3.3.3 应变对砷烯纳米带电子结构的调控研究 | 第57-61页 |
| 3.4 本章小结 | 第61-63页 |
| 4 二维磷化锡的几何结构、性质以及调控研究 | 第63-78页 |
| 4.1 引言 | 第63-65页 |
| 4.2 计算方法 | 第65-66页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第66-76页 |
| 4.3.1 二维磷化锡的几何结构研究 | 第66-67页 |
| 4.3.2 二维磷化锡的热稳定性研究 | 第67-69页 |
| 4.3.3 二维磷化锡的解离能研究 | 第69-71页 |
| 4.3.4 二维磷化锡的电子结构研究 | 第71-74页 |
| 4.3.5 应变对二维磷化锡电子结构的调控研究 | 第74-76页 |
| 4.4 本章小结 | 第76-78页 |
| 5 二维多孔氮化铝的几何结构、性质以及调控研究 | 第78-90页 |
| 5.1 引言 | 第78-79页 |
| 5.2 计算方法 | 第79-80页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第80-89页 |
| 5.3.1 二维多孔氮化铝的几何结构研究 | 第80-81页 |
| 5.3.2 二维多孔氮化铝的热稳定性研究 | 第81-84页 |
| 5.3.3 二维多孔氮化铝的电子结构研究 | 第84-86页 |
| 5.3.4 应变对二维多孔氮化铝电子结构的调控研究 | 第86-89页 |
| 5.4 本章小结 | 第89-90页 |
| 6 磷烯/h-BN异质结的电子结构与调控研究 | 第90-98页 |
| 6.1 引言 | 第90-91页 |
| 6.2 计算方法 | 第91-92页 |
| 6.3 结果与讨论 | 第92-97页 |
| 6.3.1 异质结的几何结构与电子结构研究 | 第92-94页 |
| 6.3.2 层间距对异质结电子结构的调控研究 | 第94-97页 |
| 6.4 本章小结 | 第97-98页 |
| 7 总结与展望 | 第98-101页 |
| 7.1 工作总结 | 第98-99页 |
| 7.2 工作展望 | 第99-101页 |
| 参考文献 | 第101-116页 |
| 攻读博士期间发表的学术论文与研究成果 | 第116-117页 |
| 致谢 | 第117页 |
