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原子层厚度二硫化钼纳米器件及其性能调控研究

摘要第5-6页
ABSTRACT第6-7页
第1章 绪论第11-39页
    1.1 二维层状材料的发现第11-13页
    1.2 石墨烯(Graphene)第13-14页
    1.3 六方氮化硼(h-BN)第14-16页
    1.4 二硫化钼(MoS_2)第16-23页
        1.4.1 MoS_2的晶体结构及能带结构第16-17页
        1.4.2 基于MoS_2的谷电子学第17-18页
        1.4.3 MoS_2压电性第18-19页
        1.4.4 MoS_2超导转变第19-20页
        1.4.5 MoS_2的应用第20-23页
    1.5 范德华异质结构(vdWHs)第23-31页
        1.5.1 vdWHs的发展第23-24页
        1.5.2 2D-2D vdWHs制备方法第24-26页
        1.5.3 2D-2D vdWHs器件应用第26-31页
    1.6 肖特基势垒第31-35页
    1.7 离子液体工程第35-37页
    1.8 本论文的研究内容和意义第37-39页
第2章 二维材料表征与器件的制备实验仪器第39-51页
    2.1 引言第39页
    2.2 样品形貌表征第39-41页
        2.2.1 光学显微镜第39-40页
        2.2.2 原子力显微镜第40-41页
    2.3 带温控单元高倍显微镜探针台第41-44页
    2.4 微纳器件的制备第44-47页
        2.4.1 电子束曝光第44-45页
        2.4.2 金属电极制备第45-47页
    2.5 高真空退火炉第47页
    2.6 金丝焊线机(wire bonder)第47-48页
    2.7 低温变场测量装置第48-49页
    2.8 本章小结第49-51页
第3章 一种将超薄二维材料置顶的方法第51-61页
    3.1 引言第51-52页
    3.2 翻转范德华堆垛转印技术第52-58页
        3.2.1 操作工艺流程第52-54页
        3.2.2 样品形貌电学表征第54-55页
        3.2.3 不同超薄2DLMs双层异质结第55-56页
        3.2.4 超薄2DLMs置顶多层异质结第56-58页
    3.3 优点及拟解决问题第58-59页
    3.4 本章小结第59-61页
第4章 门电压可控MoS_2双向整流器件第61-87页
    4.1 引言第61-62页
    4.2 器件制备与表征第62-64页
        4.2.1 器件的设计与制备第62-64页
        4.2.2 器件的表征第64页
    4.3 常规MoS_2场效应管第64-66页
    4.4 隧穿MoS_2场效应管第66-78页
        4.4.1 MoS_2 TC-FET中转移曲线表征第66-69页
        4.4.2 MoS_2 TC-FETs中Ⅳ曲线表征第69-70页
        4.4.3 沟道面积与源漏电压方向的影响第70-73页
        4.4.4 变温电输运性能第73-75页
        4.4.5 整流特性表征第75-77页
        4.4.6 回滞现象研究第77-78页
    4.5 第一性原理定性分析第78-84页
        4.5.1 结构配置第79-80页
        4.5.2 驰豫极限第80页
        4.5.3 隧穿势垒第80-81页
        4.5.4 禁带宽度及SB-FETs输运性能第81-83页
        4.5.5 MoS_2 TC-FET输运性能第83-84页
    4.6 本章小结第84-87页
第5章 基于铁电调控MoS_2非易失性场效应管第87-97页
    5.1 引言第87页
    5.2 器件制备第87-91页
        5.2.1 电极制备与初步测量第88-90页
        5.2.2 转移MoS_2/h-BN异质结第90-91页
    5.3 室温表征第91页
    5.4 低温表征第91-95页
        5.4.1 正偏压变温转移曲线第92-93页
        5.4.2 PZT薄膜变温铁电性第93-94页
        5.4.3 负偏压变温转移曲线第94-95页
        5.4.4 变温Ⅳ曲线第95页
    5.5 拟解决方案第95-96页
    5.6 本章小结第96-97页
第6章 结论与展望第97-99页
    6.1 结论第97-98页
    6.2 展望第98-99页
参考文献第99-115页
致谢第115-117页
在读期间发表的学术论文与取得的其他研究成果第117页

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