| 中文摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 引言 | 第9-12页 |
| 1 研究背景 | 第9-10页 |
| 1.1 自旋电子学与半金属材料 | 第9页 |
| 1.2 拓扑材料简介 | 第9-10页 |
| 2 本文的研究目的、方法及研究内容 | 第10-12页 |
| 2.1 研究目的和研究方法 | 第10-11页 |
| 2.2 研究内容 | 第11-12页 |
| 第二章 理论基础 | 第12-21页 |
| 1 密度泛函理论 | 第12-15页 |
| 1.1 Hartree?Fork近似 | 第12-13页 |
| 1.2 Hohenberg?Kohn定理 | 第13-14页 |
| 1.3 Kohn?Sham方程 | 第14-15页 |
| 1.4 局域密度近似 | 第15页 |
| 2 对称性与拓扑 | 第15-20页 |
| 2.1 拓扑能带理论 | 第16-19页 |
| 2.2 拓扑金属 | 第19-20页 |
| 3 本文使用的软件和工具 | 第20-21页 |
| 第三章 半Heusler结构的LiXGe(X=Ca,Sr和Ba)合金的研究 | 第21-36页 |
| 1 研究背景 | 第21页 |
| 2 计算方法 | 第21-22页 |
| 3 计算结果与讨论 | 第22-34页 |
| 3.1 晶体结构和声子谱 | 第22-24页 |
| 3.2 电子结构和磁性质 | 第24-29页 |
| 3.3 化学稳定性和半金属稳定性 | 第29-32页 |
| 3.4 弹性性质 | 第32-34页 |
| 4 小结 | 第34-36页 |
| 第四章 新型拓扑半金属MoC中的NexusFermions | 第36-43页 |
| 1 研究背景 | 第36页 |
| 2 计算方法 | 第36-37页 |
| 3 结果与讨论 | 第37-43页 |
| 3.1 电子结构 | 第37页 |
| 3.2 表面态与费米弧 | 第37-38页 |
| 3.3 k·p模型与拓扑指标 | 第38-42页 |
| 3.4 小结 | 第42-43页 |
| 第五章 结论与展望 | 第43-45页 |
| 1 工作总结 | 第43页 |
| 2 工作展望 | 第43-45页 |
| 参考文献 | 第45-52页 |
| 致谢 | 第52页 |