| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第6-9页 |
| 1.1 椭圆偏振光谱的发展历史与应用 | 第6-7页 |
| 1.2 纳米晶体硅的研究背景 | 第7-9页 |
| 第二章 椭偏光谱分析原理 | 第9-17页 |
| 2.1 偏振测量术基本原理 | 第9-11页 |
| 2.2 环境媒质—薄膜—基片系统的反射椭偏测量术 | 第11-14页 |
| 2.3 椭偏模型建立及参数分析 | 第14-17页 |
| 第三章 常用光学色散模型介绍 | 第17-22页 |
| 3.1 Cauchy模型 | 第17页 |
| 3.2 塞米尔模型 | 第17-18页 |
| 3.3 Drude模型 | 第18页 |
| 3.4 有效介质理论 | 第18-20页 |
| 3.5 F-B模型 | 第20-21页 |
| 3.6 Lorentz oscillator模型 | 第21-22页 |
| 第四章 nc-Si/SiO_2超晶格薄膜的椭偏光谱和发光性质 | 第22-35页 |
| 4.1 样品的制备 | 第22-24页 |
| 4.1.1 硅片清洗 | 第22页 |
| 4.1.2 交替蒸镀SiO/SiO_2 | 第22-23页 |
| 4.1.3 退火 | 第23-24页 |
| 4.2 样品的椭偏测量 | 第24-25页 |
| 4.3 椭偏模型的建立 | 第25-26页 |
| 4.4 椭偏拟合结果 | 第26-29页 |
| 4.5 样品的TEM图样 | 第29-30页 |
| 4.6 光学带隙的验证 | 第30-31页 |
| 4.7 样品的荧光光谱分析 | 第31-35页 |
| 工作总结与展望 | 第35-36页 |
| 参考文献 | 第36-38页 |
| 硕士期间发表论文 | 第38-39页 |
| 致谢 | 第39-40页 |