摘要 | 第4-6页 |
ABSTRACT | 第6-7页 |
第1章 绪论 | 第11-30页 |
1.1 磁电阻的磁场依赖性 | 第11-21页 |
1.1.1 物质中的电输运 | 第11-12页 |
1.1.2 磁电阻的经典描述 | 第12-16页 |
1.1.3 量子力学描述 | 第16-19页 |
1.1.4 磁性物质中的磁电阻 | 第19-21页 |
1.2 磁场生长和磁场退火效应 | 第21-25页 |
1.2.1 磁场生长 | 第21页 |
1.2.2 磁场退火效应 | 第21-25页 |
1.3 本文的研究思路和工作 | 第25-26页 |
1.3.1 La_(2/3)Sr_(1/3)MnO_3磁电阻与磁场的依赖关系 | 第25页 |
1.3.2 磁场退火对LSMO磁电阻增强效应的研究 | 第25-26页 |
本章参考文献 | 第26-30页 |
第2章 实验设备、原理以及理论方法 | 第30-44页 |
2.1 样品制备设备及原理 | 第30-34页 |
2.1.1 溶胶-凝胶法 | 第30-31页 |
2.1.2 磁场退火炉 | 第31-32页 |
2.1.4 水热反应 | 第32-34页 |
2.2 测量表征设备及原理 | 第34-39页 |
2.2.1 X射线衍射仪 | 第34-35页 |
2.2.2 振动样品磁强计 | 第35-36页 |
2.2.3 四探针测电阻 | 第36-39页 |
2.3 理论方法 | 第39-42页 |
2.3.1 微磁学方法 | 第39页 |
2.3.2 变分法原理 | 第39-42页 |
2.4 本章小结 | 第42-43页 |
本章参考文献 | 第43-44页 |
第3章 La_(2/3)Sr_(1/3)MnO_3磁电阻的磁场依赖性 | 第44-69页 |
3.1 半金属锰氧化物La_(2/3)Sr_(1/3)MnO_3简介 | 第44-53页 |
3.1.1 晶体结构 | 第44-46页 |
3.1.2 电子结构、双交换作用 | 第46-48页 |
3.1.3 磁结构 | 第48-49页 |
3.1.4 电输运机制 | 第49页 |
3.1.5 单晶磁电阻的物理图像 | 第49-50页 |
3.1.6 晶界磁电阻效应 | 第50-52页 |
3.1.7 本章工作思路 | 第52-53页 |
3.2 单晶La_(2/3)Sr_(1/3)MnO_3的线性磁电阻 | 第53-58页 |
3.2.1 畴壁能 | 第53-55页 |
3.2.2 稳定的自旋结构 | 第55页 |
3.2.3 单晶中的线性磁电阻 | 第55-58页 |
3.3 多晶La_(2/3)Sr_(1/3)MnO_3的晶界电阻率 | 第58-61页 |
3.3.1 各能量项 | 第58-59页 |
3.3.2 稳定的自旋结构 | 第59-60页 |
3.3.3 晶界电阻率 | 第60-61页 |
3.4 多晶La_(2/3)Sr_(1/3)MnO_3磁电阻的磁场依赖性 | 第61-65页 |
3.4.1 多晶LSMO总电阻率 | 第61-62页 |
3.4.2 多晶LSMO的磁电阻方程 | 第62页 |
3.4.3 多晶LSMO的磁电阻的磁场依赖性 | 第62-65页 |
3.5 本章小结 | 第65-66页 |
本章参考文献 | 第66-69页 |
第4章 磁场退火对La_(0.7)Sr_(0.3)MnO_3低场磁电阻增强效应的研究 | 第69-83页 |
4.1 引言 | 第69-70页 |
4.2 实验 | 第70-71页 |
4.2.1 样品制备 | 第70页 |
4.2.2 样品的性能及表征 | 第70-71页 |
4.3 晶体结构与微观结构 | 第71-73页 |
4.3.1 XRD | 第71-72页 |
4.3.2 SEM | 第72-73页 |
4.4 磁性 | 第73-75页 |
4.4.1 磁滞回线的实验结果 | 第73-74页 |
4.4.2 磁场退火对磁性影响的机理分析 | 第74-75页 |
4.5 磁电阻 | 第75-79页 |
4.5.1 磁电阻的测量结果 | 第75-76页 |
4.5.2 磁电阻的灵敏度 | 第76-77页 |
4.5.3 自旋极化隧穿磁电阻 | 第77-79页 |
4.6 本章小结 | 第79-80页 |
本章参考文献 | 第80-83页 |
第5章 总结和展望及后续工作介绍 | 第83-91页 |
5.1 总结和展望 | 第83-85页 |
5.1.1 总结 | 第83-84页 |
5.1.2 展望 | 第84-85页 |
5.2 后续工作介绍 | 第85-90页 |
5.2.1 磁场下合成对Fe_3O_4晶粒细化的动力学研究初探 | 第85-90页 |
本章参考文献 | 第90-91页 |
硕士期间发表文章和学术活动 | 第91-93页 |
致谢 | 第93-94页 |