| 中文摘要 | 第2-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 中文文摘 | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 绪论 | 第10-18页 |
| 1. 金属栅/高K结构的CMOS器件 | 第10-11页 |
| 2. 高K栅介质材料的研究现状 | 第11-12页 |
| 3. 金属栅材料的性能要求及研究现状 | 第12-14页 |
| 4. 单质金属及其合金作为金属栅电极的功函数调制的研究进展 | 第14-16页 |
| 5. 本论文主要工作 | 第16-18页 |
| 第一章 理论方法介绍 | 第18-26页 |
| 第一节 密度泛函理论简介 | 第18-19页 |
| 第二节 多粒子系统的薛定锝方程 | 第19-20页 |
| 第三节 Hohenberg-Kohn定理 | 第20页 |
| 第四节 Kohn-Sham方程 | 第20-21页 |
| 第五节 交换关联能V_(xc)(r)的处理 | 第21-23页 |
| 第六节 Kohn-Sham方程的求解方法及VASP程序包 | 第23-26页 |
| 第二章 自旋取向及表面合金化对Fe_(1-x)Mn_xFe(001)表面磁性和功函数影响的第一性原理研究 | 第26-34页 |
| 第一节 引言 | 第26-27页 |
| 第二节 模型与计算方法 | 第27-28页 |
| 第三节 结果与讨论 | 第28-33页 |
| 第四节 结论 | 第33-34页 |
| 第三章 自旋取向对碳吸附Me(001)表面的磁性和功函数的影响的第一性原理研究 | 第34-42页 |
| 第一节 引言 | 第34页 |
| 第二节 模型与计算方法 | 第34-35页 |
| 第三节 结果与讨论 | 第35-40页 |
| 第四节 结论 | 第40-42页 |
| 第四章 Gd的表面掺杂对Fe_(1-x)Gd_x/Fe(001)磁性及功函数影响的第一性原理研究 | 第42-50页 |
| 第一节 引言 | 第42页 |
| 第二节 模型与计算方法 | 第42-44页 |
| 第三节 结果与讨论 | 第44-49页 |
| 第四节 结论 | 第49-50页 |
| 第五章 总结 | 第50-52页 |
| 参考文献 | 第52-60页 |
| 攻读学位期间承担的科研任务与主要结果 | 第60-62页 |
| 致谢 | 第62-64页 |
| 个人简历 | 第64-66页 |
