| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 论文的主要创新与贡献 | 第9-14页 |
| 第1章 绪论 | 第14-32页 |
| 1.1 引言 | 第14-15页 |
| 1.2 硅系太阳能电池的发展历程 | 第15-22页 |
| 1.2.1 晶体硅太阳能电池 | 第16-17页 |
| 1.2.2 非晶硅薄膜太阳能电池 | 第17-20页 |
| 1.2.3 微晶硅薄膜太阳能电池 | 第20-22页 |
| 1.3 硅基薄膜的制备方法 | 第22-27页 |
| 1.3.1 射频等离子体增强化学气相沉积法 | 第23-24页 |
| 1.3.2 影响因素 | 第24-27页 |
| 1.4 硅基薄膜的沉积动力学 | 第27-29页 |
| 1.4.1 硅基薄膜沉积的气相化学反应 | 第27-28页 |
| 1.4.2 硅基薄膜沉积的表面化学反应 | 第28-29页 |
| 1.5 本论文的选题依据及主要研究内容 | 第29-32页 |
| 1.5.1 本论文的选题依据 | 第29-30页 |
| 1.5.2 本论文的主要研究内容 | 第30-32页 |
| 第2章 实验方法 | 第32-42页 |
| 2.1 引言 | 第32页 |
| 2.2 实验原材料 | 第32-33页 |
| 2.2.1 衬底材料 | 第32页 |
| 2.2.2 沉积气源 | 第32-33页 |
| 2.3 制备方法 | 第33-36页 |
| 2.3.1 镀膜设备 | 第33-34页 |
| 2.3.2 实验参数的确定 | 第34-35页 |
| 2.3.3 实验步骤 | 第35-36页 |
| 2.4 结构表征 | 第36-39页 |
| 2.4.1 X射线衍射 | 第36-37页 |
| 2.4.2 拉曼光谱 | 第37页 |
| 2.4.3 高分辨透射电子显微镜 | 第37-38页 |
| 2.4.4 二次离子质谱 | 第38-39页 |
| 2.4.5 原子力显微镜 | 第39页 |
| 2.5 性能分析 | 第39-42页 |
| 2.5.1 光学性能 | 第39-40页 |
| 2.5.2 电学性能 | 第40-42页 |
| 第3章 掺杂元素和退火处理对硅基薄膜光/电学性能的影响 | 第42-62页 |
| 3.1 引言 | 第42-43页 |
| 3.2 实验部分 | 第43页 |
| 3.2.1 薄膜制备 | 第43页 |
| 3.2.2 表征 | 第43页 |
| 3.3 不同[B_2H_6]/[SiH_4]条件下硅基薄膜的微观结构和光/电学性能 | 第43-52页 |
| 3.3.1 不同[B_2H_6]/[SiH_4]条件下硅基薄膜的微观结构 | 第43-45页 |
| 3.3.2 不同[B_2H_6]/[SiH_4]条件下硅基薄膜的光学性能 | 第45-47页 |
| 3.3.3 不同[B_2H_6]/[SiH_4]条件下硅基薄膜的电学性能 | 第47-49页 |
| 3.3.4 SIMS分析 | 第49-50页 |
| 3.3.5 退火后p型硅基薄膜的微观结构变化 | 第50-51页 |
| 3.3.6 退火后p型硅基薄膜的光学性能变化 | 第51页 |
| 3.3.7 退火后p型硅基薄膜的电学性能变化 | 第51-52页 |
| 3.4 不同[PH_3]/[SiH_4]条件下硅基薄膜的微观结构和光/电学性能 | 第52-60页 |
| 3.4.1 不同[PH_3]/[SiH_4]条件下硅基薄膜的微观结构 | 第52-53页 |
| 3.4.2 不同[PH_3]/[SiH_4]条件下硅基薄膜的光学性能 | 第53-55页 |
| 3.4.3 不同[PH_3]/[SiH_4]条件下硅基薄膜的电学性能 | 第55-56页 |
| 3.4.4 SIMS分析 | 第56-57页 |
| 3.4.5 退火后n型硅基薄膜的微观结构变化 | 第57-58页 |
| 3.4.6 退火后n型硅基薄膜的光学性能变化 | 第58-59页 |
| 3.4.7 退火后n型硅基薄膜的电学性能变化 | 第59-60页 |
| 3.5 本章小结 | 第60-62页 |
| 第4章 射频功率对硅基薄膜微结构的影响 | 第62-76页 |
| 4.1 引言 | 第62-63页 |
| 4.2 实验部分 | 第63页 |
| 4.2.1 样品制备 | 第63页 |
| 4.2.2 表征 | 第63页 |
| 4.3 不同功率下制得硅基薄膜的微观结构和电学性能 | 第63-68页 |
| 4.3.1 薄膜的微观结构 | 第63-65页 |
| 4.3.2 薄膜的平均沉积速率 | 第65-67页 |
| 4.3.3 薄膜的少子寿命 | 第67-68页 |
| 4.4 退火处理后硅基薄膜的微观结构和电学性能 | 第68-74页 |
| 4.4.1 退火后薄膜的微观结构 | 第69-72页 |
| 4.4.2 退火后薄膜的电学性能 | 第72页 |
| 4.4.3 不同功率条件下薄膜的原子排列状态分析 | 第72-74页 |
| 4.5 本章小结 | 第74-76页 |
| 第5章 微晶硅薄膜的自晶化过程及其机理分析 | 第76-88页 |
| 5.1 引言 | 第76页 |
| 5.2 实验部分 | 第76-77页 |
| 5.2.1 样品制备 | 第76-77页 |
| 5.2.2 表征 | 第77页 |
| 5.3 实验结果与讨论 | 第77-86页 |
| 5.3.1 XRD分析 | 第77-79页 |
| 5.3.2 HRTEM表征 | 第79-81页 |
| 5.3.3 薄膜厚度和平均沉积速率 | 第81-82页 |
| 5.3.4 少子寿命 | 第82-83页 |
| 5.3.5 讨论 | 第83-86页 |
| 5.4 本章小结 | 第86-88页 |
| 第6章 氢稀释比对微晶硅薄膜两相结构和电学性能的影响 | 第88-100页 |
| 6.1 引言 | 第88页 |
| 6.2 实验部分 | 第88-89页 |
| 6.2.1 样品制备 | 第88-89页 |
| 6.2.2 表征 | 第89页 |
| 6.3 氢稀释比对微晶硅薄膜两相结构的影响 | 第89-95页 |
| 6.3.1 薄膜的界面结构 | 第89-91页 |
| 6.3.2 薄膜在发生相变后的微观结构 | 第91-93页 |
| 6.3.3 薄膜的整体晶化趋势 | 第93-95页 |
| 6.4 氢稀释比对微晶硅薄膜电学性能的影响 | 第95-96页 |
| 6.5 氢稀释比对硅基薄膜晶化过程的影响机制 | 第96-98页 |
| 6.6 本章小结 | 第98-100页 |
| 第7章 衬底温度对微晶硅薄膜两相结构和电学性能的影响 | 第100-112页 |
| 7.1 引言 | 第100-101页 |
| 7.2 实验部分 | 第101页 |
| 7.2.1 样品制备 | 第101页 |
| 7.2.2 表征 | 第101页 |
| 7.3 实验结果与分析 | 第101-110页 |
| 7.3.1 薄膜的两相结构 | 第101-105页 |
| 7.3.2 薄膜的整体晶化状态 | 第105-107页 |
| 7.3.3 薄膜的平均沉积速率 | 第107-108页 |
| 7.3.4 薄膜的电学性能 | 第108-109页 |
| 7.3.5 衬底温度对硅基薄膜晶化过程的影响机制 | 第109-110页 |
| 7.4 本章小结 | 第110-112页 |
| 结论 | 第112-114页 |
| 参考文献 | 第114-124页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文 | 第124-126页 |
| 致谢 | 第126-128页 |
