| 中文摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 引言 | 第11-42页 |
| 1.1 低维纳米材料简介 | 第11-12页 |
| 1.2 一维金属纳米系统中的量子尺寸效应 | 第12-15页 |
| 1.3 二维纳米材料和其中的量子尺寸效应 | 第15-36页 |
| 1.3.1 金属和化合物量子尺寸效应研究进展 | 第18-26页 |
| 1.3.1.1 Pb（111）薄膜的生长以及其量子尺寸效应 | 第18-20页 |
| 1.3.1.2 Pb(111)表面电子的异常Friedel振荡 | 第20-22页 |
| 1.3.1.3 Ag (100)薄膜和Ag（110）薄膜的生长和量子尺寸效应 | 第22-25页 |
| 1.3.1.4 Co Si2在Ag表面的生长 | 第25-26页 |
| 1.3.2 薄膜的电子结构和量子尺寸效应的理论解释 | 第26-33页 |
| 1.3.2.1 量子阱态 | 第26-31页 |
| 1.3.2.2 表面能和薄膜稳定性判据 | 第31-33页 |
| 1.3.3 量子尺寸效应对功函数的调制 | 第33-34页 |
| 1.3.4 功函数和表面能振荡的相位关系 | 第34-36页 |
| 1.4 Zn O在Ga N表面的外延生长 | 第36-42页 |
| 第二章 第一性原理计算方法 | 第42-55页 |
| 2.1 波恩奥本海默近似和Hatree近似 | 第43-44页 |
| 2.2 Hatree－Fock近似 | 第44-46页 |
| 2.3 密度泛函理论 | 第46-50页 |
| 2.3.1 Hohenberg-Kohn定理 | 第46页 |
| 2.3.2 Kohnsham方程 | 第46-48页 |
| 2.3.3 局域密度近似(LDA) | 第48-49页 |
| 2.3.4 广义梯度近似(GGA) | 第49-50页 |
| 2.4 赝势方法 | 第50-53页 |
| 2.4.1 Ultrasoft(US)赝势 | 第52-53页 |
| 2.4.2 PAW赝势 | 第53页 |
| 2.5 自洽运算 | 第53-54页 |
| 2.6 VASP软件包 | 第54-55页 |
| 第三章 纳米线，纳米岛和薄膜电子生长的统一图像 | 第55-72页 |
| 3.1 背景介绍 | 第55-56页 |
| 3.2 计算模型及方法 | 第56-58页 |
| 3.3 结果及讨论 | 第58-70页 |
| 3.3.1 半径依赖的量子尺寸效应 | 第58-60页 |
| 3.3.2 自由电子数依赖的量子尺寸效应 | 第60-63页 |
| 3.3.3 物理机制分析 | 第63-67页 |
| 3.3.4 实验结果对比 | 第67-69页 |
| 3.3.5 量子尺寸效应对纳米线性质的调控 | 第69-70页 |
| 3.4 本章小结 | 第70-72页 |
| 第四章 Pb薄膜表面能和功函数之间厚度依赖的相位关系 | 第72-88页 |
| 4.1 背景介绍 | 第72-73页 |
| 4.2 计算方法 | 第73-74页 |
| 4.3 结果及讨论 | 第74-86页 |
| 4.3.1 FCC结构Pb薄膜中掺杂不同程度Bi原子时的相位关系 | 第74-78页 |
| 4.3.2 HCP结构Pb薄膜不同程度掺杂时的相位关系 | 第78-82页 |
| 4.3.3 自由电子模型解释 | 第82-86页 |
| 4.4 本章小结 | 第86-88页 |
| 第五章 ZnO/GaN异质结制备质量的提高 | 第88-101页 |
| 5.1 背景介绍 | 第88-89页 |
| 5.2 计算模型及方法 | 第89-92页 |
| 5.3 结果及讨论 | 第92-100页 |
| 5.3.1 Zn O/Ga N界面的基本性质 | 第92-93页 |
| 5.3.2 Zn O/Ga N和ZnO/a-Al_2O_3体系Zn O应力随着薄膜厚度的变化 | 第93-100页 |
| 5.4 本章小结 | 第100-101页 |
| 第六章 总结和展望 | 第101-103页 |
| 参考文献 | 第103-119页 |
| 致谢 | 第119-121页 |
| 文章列表 | 第121页 |
