基于有限元方法和耦合波理论的电光器件仿真分析
| 中文摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-15页 |
| 1.1 电光器件的研究发展 | 第8-9页 |
| 1.2 光学电压传感器 | 第9-13页 |
| 1.2.1 Pockels效应 | 第9-10页 |
| 1.2.2 Kerr效应 | 第10-11页 |
| 1.2.3 逆压电效应 | 第11-12页 |
| 1.2.4 各类光学电压传感器研究现状 | 第12-13页 |
| 1.3 电光器件仿真分析 | 第13-14页 |
| 1.4 课题来源、创新之处和主要内容 | 第14-15页 |
| 第二章 电光器件仿真分析方法 | 第15-39页 |
| 2.1 电场有限元方法 | 第15-20页 |
| 2.1.1 有限元方法简介 | 第15-20页 |
| 2.1.2 三维电场仿真步骤 | 第20页 |
| 2.2 线性电光效应耦合波理论 | 第20-32页 |
| 2.2.1 线性电光效应理论研究现状 | 第20-22页 |
| 2.2.2 折射率椭球理论 | 第22-28页 |
| 2.2.3 耦合波理论 | 第28-32页 |
| 2.3 适用于任意电场分布和传播方向的仿真方法 | 第32-38页 |
| 2.3.1 晶体内电场分布的求解 | 第33-34页 |
| 2.3.2 有限元仿真结果与耦合波理论的结合 | 第34-38页 |
| 2.4 本章小结 | 第38-39页 |
| 第三章 BGO晶体电光调制分析 | 第39-51页 |
| 3.1 BGO半波电压特性研究 | 第39-43页 |
| 3.1.1 计算模型简介 | 第40-41页 |
| 3.1.2 晶体切面对半波电压的影响 | 第41页 |
| 3.1.3 光传播方向对半波电压的影响 | 第41-42页 |
| 3.1.4 起偏器的透光轴方向对电光调制的影响 | 第42-43页 |
| 3.2 温度对BGO晶体电光调制的影响 | 第43-46页 |
| 3.2.1 BGO晶体温度参数 | 第43-44页 |
| 3.2.2 BGO晶体电光调制受温度影响 | 第44-46页 |
| 3.3 BGO晶体温度特性的实验研究 | 第46-49页 |
| 3.3.1 晶体劈干涉法测量原理 | 第46-48页 |
| 3.3.2 温度对BGO晶体固有双折射的影响 | 第48-49页 |
| 3.4 本章小结 | 第49-51页 |
| 第四章 电光调制受电场不均匀影响的仿真分析 | 第51-64页 |
| 4.1 光学电压传感器电场分析 | 第51-60页 |
| 4.1.1 光学电压传感器电光调制方式的选择 | 第51页 |
| 4.1.2 光学电压传感器线性度和准确级数 | 第51-52页 |
| 4.1.3 光学电压传感器传感头内电场分析 | 第52-58页 |
| 4.1.4 纵向调制光学电压传感器电场均匀性分析 | 第58-60页 |
| 4.2 电场均匀性对光学电压传感器的影响 | 第60-63页 |
| 4.2.1 仿真模型简介 | 第60-61页 |
| 4.2.2 位置偏移对测量信号的影响 | 第61页 |
| 4.2.3 角度偏移对测量信号的影响 | 第61-62页 |
| 4.2.4 光路偏移对光学电压传感器精度的影响 | 第62-63页 |
| 4.3 本章小结 | 第63-64页 |
| 结论与展望 | 第64-66页 |
| 参考文献 | 第66-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
| 个人简历、在学期间的研究成果及发表的学术论文 | 第72页 |
