| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 目录 | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-15页 |
| ·高k薄膜材料的兴起 | 第7-8页 |
| ·高k薄膜材料的研究进展 | 第8-11页 |
| ·高k薄膜材料的制备技术与应用 | 第11-13页 |
| ·论文的研究目的和内容 | 第13-15页 |
| 第二章 高k介质薄膜材料的制备工艺及介电特性研究 | 第15-35页 |
| ·引言 | 第15-16页 |
| ·原子层沉积技术制备Al_2O_3和HfO_2薄膜 | 第16-20页 |
| ·原子沉积系统简介 | 第16-17页 |
| ·原子层生长机制 | 第17-19页 |
| ·原子层沉积系统制备Al_2O_3和HfO_2薄膜形貌和成份的表征 | 第19-20页 |
| ·Al_2O_3和HfO_2薄膜介电特性的研究 | 第20-27页 |
| ·薄膜电容结构的制备 | 第21-24页 |
| ·沉积温度对HfO_2和Al_2O_3的介电常数的影响 | 第24-26页 |
| ·介电薄膜的漏电特性与击穿电压测试与分析 | 第26-27页 |
| ·制备工艺对薄膜表面粗糙度的影响 | 第27-33页 |
| ·原子力显微镜的结构及原理 | 第28-30页 |
| ·沉积温度膜厚对薄膜表面粗糙度的影响 | 第30-33页 |
| ·小结 | 第33-35页 |
| 第三章 基于Al_2O_3栅介质层的氧化锌纳米线场效应管 | 第35-52页 |
| ·引言 | 第35-37页 |
| ·氧化锌纳米线的制备及其Ⅰ-Ⅴ特性 | 第37-46页 |
| ·氧化锌纳米线的的制备技术和生长机制 | 第37-42页 |
| ·单根ZnO纳米线的Ⅰ-Ⅴ特性 | 第42-46页 |
| ·ZnO纳米线场效应管的制备及输出特性测量 | 第46-51页 |
| ·场效应管工作原理介绍 | 第47-48页 |
| ·氧化锌纳米线场效应管的制备 | 第48-50页 |
| ·氧化锌纳米线场效应管的电学输出特性测量 | 第50-51页 |
| ·小结 | 第51-52页 |
| 第四章 高k介质薄膜在微流体器件中的应用 | 第52-64页 |
| ·引言 | 第52-53页 |
| ·固态纳米孔的制备 | 第53-60页 |
| ·固态纳米孔的制备及表征所用仪器介绍 | 第53-57页 |
| ·聚焦离子束打孔的工艺研究 | 第57-60页 |
| ·ALD沉积均匀薄膜缩孔 | 第60-63页 |
| ·Al_2O_3膜厚控制对缩孔过程影响 | 第60-62页 |
| ·缩孔填充现象的原因分析及解决办法 | 第62-63页 |
| ·小结 | 第63-64页 |
| 第五章 总结 | 第64-66页 |
| 参考文献 | 第66-70页 |
| 攻读硕士学位期间取得的科研成果 | 第70-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
