首页--工业技术论文--一般工业技术论文--工程材料学论文--特种结构材料论文

Si基图形衬底有序Ge/Si纳米结构的制备及光学性质研究

摘要第3-4页
Abstract第4-5页
第一章 绪论第9-22页
    1.1 引言第9-10页
    1.2 Si衬底上制备有序PS纳米球薄膜的方法第10-13页
        1.2.1 LB法第10-11页
        1.2.2 空气-水界面漂浮法第11页
        1.2.3 涡旋表面法第11-12页
        1.2.4 旋涂法第12-13页
    1.3 Si基坑型图形衬底上有序Ge/Si纳米结构的制备第13-17页
        1.3.1 Si基坑型图形衬底的制备第14页
        1.3.2 二维有序Ge/Si量子点的制备第14-16页
        1.3.3 三维有序Ge/Si量子点的制备第16-17页
        1.3.4 有序Ge/Si纳米环的制备第17页
    1.4 Si基纳米柱图形衬底上制备有序Ge/Si纳米结构第17-19页
        1.4.1 Si基柱型图形衬底的制备第17-18页
        1.4.2 有序Ge/Si量子点分子的制备第18-19页
    1.5 有序Ge量子点光学性质优势第19-20页
    1.6 本课题的来源和论文主要研究内容第20-21页
        1.6.1 本课题来源第20页
        1.6.2 本论文的主要研究内容第20-21页
    1.7 本论文工作特色和亮点第21-22页
第二章 实验概述与表征方法第22-35页
    2.1 实验整体方案第22页
    2.2 实验仪器简介第22-30页
        2.2.1 离子束溅射设备第22-24页
        2.2.2 去离子水机第24-26页
        2.2.3 其他基片清洗辅助设备第26-27页
        2.2.4 仪器操作及样品清洗过程第27-30页
    2.3 纳米球刻蚀技术第30-31页
    2.4 样品表征仪器简介第31-35页
        2.4.1 原子力显微镜第31页
        2.4.2 扫描电子显微镜第31-33页
        2.4.3 拉曼光谱仪第33-34页
        2.4.4 光致发光第34-35页
第三章 NSL优化及有序Si纳米团簇制备第35-50页
    3.1 引言第35页
    3.2 实验过程第35-42页
        3.2.1 优化纳米球排版实验第36-39页
        3.2.2 Si基纳米坑图形衬底的制备第39-40页
        3.2.3 Si基图形衬底上溅射生长有序Si纳米团簇第40-42页
    3.3 结果与讨论第42-45页
        3.3.1 表面形貌分析第42-43页
        3.3.2 生长机理分析第43-45页
    3.4 光学性质表征第45-48页
    3.5 本章小结第48-50页
第四章 有序Ge/Si量子点制备及光学性质研究第50-67页
    4.1 引言第50-51页
    4.2 实验方法第51-53页
        4.2.1 正交试验法第51-52页
        4.2.2 实验过程第52-53页
    4.3 结果与讨论第53-63页
        4.3.1 表面形貌分析第53-59页
        4.3.2 量子点成核机理及分析第59-63页
    4.4 光学性质表征第63-65页
    4.5 本章小结第65-67页
第五章 总结与展望第67-70页
    5.1 研究工作取得的主要结果第67-68页
    5.2 后续研究展望第68-70页
参考文献第70-80页
附录 攻读硕士期间发表的论文和获得的奖励第80-81页
    攻读硕士期间发表的论文第80页
    攻读硕士期间申请的发明专利第80页
    攻读硕士期间主持的项目第80页
    攻读硕士期间获得的奖励第80-81页
致谢第81页

论文共81页,点击 下载论文
上一篇:金属/聚合物纳米复合粒子的制备
下一篇:纳微结构金属氧化物的可控制备及其储锂性能研究