| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-25页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 晶体铁电性质和朗道理论 | 第11-15页 |
| 1.2.1 晶体的铁电性质 | 第11-14页 |
| 1.2.2 朗道理论 | 第14-15页 |
| 1.3 铁电材料研究历史 | 第15-17页 |
| 1.4 铁电材料的性质及其应用 | 第17-19页 |
| 1.5 分子基铁电体的发展 | 第19-21页 |
| 1.6 选题的主要内容和意义 | 第21-22页 |
| 参考文献 | 第22-25页 |
| 第二章 薄膜表征测量与设备 | 第25-32页 |
| 2.1 X射线衍射(X-Ray diffraction,XRD) | 第25-27页 |
| 2.2 原子力显微镜(AFM) | 第27-30页 |
| 2.3 压电力显微镜(PFM) | 第30-31页 |
| 参考文献 | 第31-32页 |
| 第三章 二异丙胺溴薄膜制备与特性研究 | 第32-43页 |
| 3.1 二异丙胺溴盐铁电晶体 | 第32-37页 |
| 3.2 旋涂法制备DIPAB薄膜 | 第37-38页 |
| 3.3 DIPAB薄膜的物理特性表征 | 第38-41页 |
| 3.4 小结 | 第41-42页 |
| 参考文献 | 第42-43页 |
| 第四章 二异丙胺高氯酸薄膜制备与特性研究 | 第43-55页 |
| 4.1 二异丙胺高氯酸铁电晶体 | 第43-45页 |
| 4.2 DIPAP薄膜的制备与物理性质表征 | 第45-52页 |
| 4.3 小结 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-55页 |
| 第五章 总结 | 第55-56页 |
| 硕士期间发表论文 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |