| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-23页 |
| 1.1 引言 | 第11-12页 |
| 1.2 α-Al_2O_3的结构与性能 | 第12-21页 |
| 1.2.1 α-Al_2O_3的晶体结构 | 第12-14页 |
| 1.2.2 α-Al_2O_3涂层的的制备 | 第14页 |
| 1.2.3 低温沉积 α-Al_2O_3涂层的关键技术问题 | 第14-16页 |
| 1.2.4 HIPIMS制备 α-Al_2O_3涂层 | 第16-17页 |
| 1.2.5 射频磁控溅射制备 α-Al_2O_3涂层 | 第17-18页 |
| 1.2.6 低温沉积 α-Al_2O_3的研究现状 | 第18-20页 |
| 1.2.7 α-Cr_2O_3促进 α-Al_2O_3形核生长的研究现状 | 第20-21页 |
| 1.3 选题意义以及内容 | 第21-23页 |
| 第二章 实验材料设备与表征 | 第23-29页 |
| 2.1 实验流程 | 第23页 |
| 2.2 实验材料 | 第23-24页 |
| 2.3 磁控溅射设备及原理 | 第24-26页 |
| 2.3.1 磁控溅射设备 | 第24-25页 |
| 2.3.2 磁控溅射原理 | 第25-26页 |
| 2.3.3 直流磁控溅射Cr涂层 | 第26页 |
| 2.4 高功率脉冲磁控溅射设备 | 第26-27页 |
| 2.5 射频磁控溅射 | 第27-28页 |
| 2.6 表征方法 | 第28-29页 |
| 2.6.1 扫描电子显微镜 | 第28页 |
| 2.6.2 X射线衍射仪 | 第28-29页 |
| 第三章 Cr+α-Cr_2O_3复合过渡层制备工艺研究 | 第29-41页 |
| 3.1 引言 | 第29页 |
| 3.2 溅射温度对Cr层的影响 | 第29-33页 |
| 3.2.1 溅射温度对Cr层的形貌分析 | 第29-32页 |
| 3.2.2 溅射温度对Cr层的相组成分析 | 第32-33页 |
| 3.3 基体对Cr层的影响 | 第33-36页 |
| 3.3.1 基体对Cr层的形貌分析 | 第33-35页 |
| 3.3.2 基体对Cr层的相组成分析 | 第35-36页 |
| 3.4 过渡层Cr薄膜的氧化 | 第36-40页 |
| 3.4.1 Ni30基体上过渡层Cr薄膜的氧化 | 第36-39页 |
| 3.4.2 Ni基体上过渡层Cr薄膜的氧化 | 第39-40页 |
| 3.5 本章小结 | 第40-41页 |
| 第四章 α-Al_2O_3涂层制备工艺的研究 | 第41-58页 |
| 4.1 引言 | 第41页 |
| 4.2 高功率脉冲磁控溅射（HIPIMS）沉积Al_2O_3薄膜 | 第41-48页 |
| 4.2.1 溅射温度对沉积Al_2O_3薄膜影响 | 第41-43页 |
| 4.2.2 氧气流量对沉积Al_2O_3薄膜影响 | 第43-46页 |
| 4.2.3 占空比对Al_2O_3薄膜影响 | 第46-48页 |
| 4.3 射频磁控溅射（RFMS）沉积Al_2O_3薄膜 | 第48-56页 |
| 4.3.1 射频反应磁控溅射（Reaction RFMS）Al靶沉积Al_2O_3薄膜 | 第48-51页 |
| 4.3.2 射频磁控溅射（RFMS）α-Al_2O_3靶沉积Al_2O_3薄膜 | 第51-56页 |
| 4.4 本章小结 | 第56-58页 |
| 第五章 过渡层上低温反应溅射沉积 α-Al_2O_3涂层的研究 | 第58-70页 |
| 5.1 引言 | 第58页 |
| 5.2 高功率脉冲磁控溅射低温反应溅射沉积 α-Al_2O_3涂层 | 第58-62页 |
| 5.2.1 形貌分析 | 第58-60页 |
| 5.2.2 物相分析 | 第60-62页 |
| 5.3 高功率脉冲磁控溅射溅射沉积 α-Cr_2O_3涂层 | 第62-65页 |
| 5.4 射频脉冲反应溅射低温反应溅射沉积 α-Al_2O_3涂层 | 第65-69页 |
| 5.4.1 形貌分析 | 第65-68页 |
| 5.4.2 物相分析 | 第68-69页 |
| 5.5 本章小结 | 第69-70页 |
| 结论 | 第70-72页 |
| 参考文献 | 第72-79页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第79-80页 |
| 致谢 | 第80-81页 |
| 附件 | 第81页 |
