摘要 | 第4-5页 |
Abstract | 第5页 |
第1章 绪论 | 第9-23页 |
1.1 引言 | 第9-10页 |
1.2 大功率 LED 定义及低热阻封装技术 | 第10-14页 |
1.2.1 大功率 LED 定义 | 第10页 |
1.2.2 大功率 LED 低热阻封装技术 | 第10-14页 |
1.3 大功率 LED 基板材料研究进展 | 第14-18页 |
1.3.1 金属基板材料 | 第14-15页 |
1.3.2 陶瓷基板材料 | 第15-17页 |
1.3.3 新型石墨基板材料 | 第17-18页 |
1.4 陶瓷涂层材料制备方法 | 第18-21页 |
1.4.1 SiC 涂层制备方法 | 第19-21页 |
1.5 研究目的及主要内容 | 第21-23页 |
1.5.1 研究目的 | 第21页 |
1.5.2 主要内容 | 第21-23页 |
第2章 试验材料与试验方法 | 第23-26页 |
2.1 试验用主要原料与仪器 | 第23-24页 |
2.1.1 主要原材料 | 第23页 |
2.1.2 主要仪器设备 | 第23-24页 |
2.2 测试方法 | 第24-26页 |
2.2.1 X 射线衍射仪 (XRD ) | 第24页 |
2.2.2 扫描电子显微镜( SEM ) | 第24页 |
2.2.3 纳米压痕测试 | 第24页 |
2.2.4 复相陶瓷材料的体积密度和致密度测试 | 第24-26页 |
第3章 AlN - SiC- Al_2O_3·B_2O_3复相陶瓷涂层及工艺研究 | 第26-43页 |
3.1 引言 | 第26页 |
3.2 AlN - SiC - Al_2O_3·B_2O_3复相陶瓷涂层设计方案 | 第26-28页 |
3.2.1 原料选取与表征 | 第26-27页 |
3.2.2 实验方案 | 第27-28页 |
3.3 AlN - H_3BO_3陶瓷涂层可行性分析 | 第28-33页 |
3.3.1 复合材料热力学计算 | 第28-29页 |
3.3.2 预置涂层热处理实施 | 第29-33页 |
3.4 AlN - Si C - Al_2O_3·B 2O3复相陶瓷涂层工艺研究 | 第33-38页 |
3.4.1 原料对陶瓷涂层的制备影响 | 第33-35页 |
3.4.2 气氛条件对陶瓷涂层制备影响 | 第35-37页 |
3.4.3 热处理温度对陶瓷涂层制备影响 | 第37-38页 |
3.5 AlN - SiC - Al_2O_3·B_2O_3复相陶瓷涂层的致密度 | 第38-40页 |
3.5.1 相同温度不同原料配比对复相陶瓷涂层致密度影响 | 第38-39页 |
3.5.2 相同温度不同气氛条件对复相陶瓷涂层致密度影响 | 第39-40页 |
3.5.3 相同原料不同温度对涂层致密度影响 | 第40页 |
3.6 块体材料研究 | 第40-42页 |
3.7 本章小结 | 第42-43页 |
第4章 Si_3N_4-SiC 复相陶瓷涂层及工艺研究 | 第43-51页 |
4.1 引言 | 第43页 |
4.2 合成 Si_3N_4-SiC 复相陶瓷涂层工艺探讨 | 第43-50页 |
4.2.1 埋粉烧结工艺 | 第43-46页 |
4.2.2 氮气气氛烧结工艺 | 第46-47页 |
4.2.3 二次烧结热处理 | 第47-49页 |
4.2.4 扩散反应分析 | 第49-50页 |
4.3 本章小结 | 第50-51页 |
第5章 复相陶瓷涂层性能研究 | 第51-57页 |
5.1 引言 | 第51页 |
5.2 陶瓷涂层力学性能测试 | 第51-54页 |
5.2.1 纳米压痕原理 | 第51-53页 |
5.2.2 测试结果 | 第53-54页 |
5.3 陶瓷涂层电阻率 | 第54-55页 |
5.4 展望 | 第55-56页 |
5.5 本章小结 | 第56-57页 |
结论 | 第57-58页 |
参考文献 | 第58-64页 |
致谢 | 第64页 |