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石墨基体表面绝缘导热陶瓷涂层的制备工艺研究

摘要第4-5页
Abstract第5页
第1章 绪论第9-23页
    1.1 引言第9-10页
    1.2 大功率 LED 定义及低热阻封装技术第10-14页
        1.2.1 大功率 LED 定义第10页
        1.2.2 大功率 LED 低热阻封装技术第10-14页
    1.3 大功率 LED 基板材料研究进展第14-18页
        1.3.1 金属基板材料第14-15页
        1.3.2 陶瓷基板材料第15-17页
        1.3.3 新型石墨基板材料第17-18页
    1.4 陶瓷涂层材料制备方法第18-21页
        1.4.1 SiC 涂层制备方法第19-21页
    1.5 研究目的及主要内容第21-23页
        1.5.1 研究目的第21页
        1.5.2 主要内容第21-23页
第2章 试验材料与试验方法第23-26页
    2.1 试验用主要原料与仪器第23-24页
        2.1.1 主要原材料第23页
        2.1.2 主要仪器设备第23-24页
    2.2 测试方法第24-26页
        2.2.1 X 射线衍射仪 (XRD )第24页
        2.2.2 扫描电子显微镜( SEM )第24页
        2.2.3 纳米压痕测试第24页
        2.2.4 复相陶瓷材料的体积密度和致密度测试第24-26页
第3章 AlN - SiC- Al_2O_3·B_2O_3复相陶瓷涂层及工艺研究第26-43页
    3.1 引言第26页
    3.2 AlN - SiC - Al_2O_3·B_2O_3复相陶瓷涂层设计方案第26-28页
        3.2.1 原料选取与表征第26-27页
        3.2.2 实验方案第27-28页
    3.3 AlN - H_3BO_3陶瓷涂层可行性分析第28-33页
        3.3.1 复合材料热力学计算第28-29页
        3.3.2 预置涂层热处理实施第29-33页
    3.4 AlN - Si C - Al_2O_3·B 2O3复相陶瓷涂层工艺研究第33-38页
        3.4.1 原料对陶瓷涂层的制备影响第33-35页
        3.4.2 气氛条件对陶瓷涂层制备影响第35-37页
        3.4.3 热处理温度对陶瓷涂层制备影响第37-38页
    3.5 AlN - SiC - Al_2O_3·B_2O_3复相陶瓷涂层的致密度第38-40页
        3.5.1 相同温度不同原料配比对复相陶瓷涂层致密度影响第38-39页
        3.5.2 相同温度不同气氛条件对复相陶瓷涂层致密度影响第39-40页
        3.5.3 相同原料不同温度对涂层致密度影响第40页
    3.6 块体材料研究第40-42页
    3.7 本章小结第42-43页
第4章 Si_3N_4-SiC 复相陶瓷涂层及工艺研究第43-51页
    4.1 引言第43页
    4.2 合成 Si_3N_4-SiC 复相陶瓷涂层工艺探讨第43-50页
        4.2.1 埋粉烧结工艺第43-46页
        4.2.2 氮气气氛烧结工艺第46-47页
        4.2.3 二次烧结热处理第47-49页
        4.2.4 扩散反应分析第49-50页
    4.3 本章小结第50-51页
第5章 复相陶瓷涂层性能研究第51-57页
    5.1 引言第51页
    5.2 陶瓷涂层力学性能测试第51-54页
        5.2.1 纳米压痕原理第51-53页
        5.2.2 测试结果第53-54页
    5.3 陶瓷涂层电阻率第54-55页
    5.4 展望第55-56页
    5.5 本章小结第56-57页
结论第57-58页
参考文献第58-64页
致谢第64页

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