摘要 | 第3-5页 |
Abstract | 第5-7页 |
第1章 绪论 | 第11-27页 |
1.1 铍的基本性质及其应用 | 第11-13页 |
1.1.1 铍的基本性质 | 第11-12页 |
1.1.2 铍的应用 | 第12-13页 |
1.2 铍的腐蚀特性 | 第13-15页 |
1.3 金属铍表面陶瓷膜制备技术研究现状 | 第15-18页 |
1.4 阳极氧化技术 | 第18-21页 |
1.5 微弧氧化技术 | 第21-22页 |
1.6 PECVD Si_3N_4技术 | 第22-25页 |
1.7 本论文选题背景研究内容和意义 | 第25-27页 |
第2章 NaOH溶液中铍阳极氧化膜制备技术 | 第27-51页 |
2.1 实验 | 第27-32页 |
2.1.1 实验材料 | 第27-28页 |
2.1.2 阳极氧化电源 | 第28页 |
2.1.3 实验样品前处理 | 第28页 |
2.1.4 氧化膜的制备 | 第28-29页 |
2.1.5 封孔处理 | 第29页 |
2.1.6 氧化膜表征 | 第29-32页 |
2.2 结果与讨论 | 第32-48页 |
2.2.1 原始组织 | 第32-34页 |
2.2.2 NaOH浓度对阳极氧化成膜的影响 | 第34-38页 |
2.2.3 电流密度对阳极氧化成膜的影响 | 第38-41页 |
2.2.4 氧化膜结构及成分 | 第41-44页 |
2.2.5 耐蚀性 | 第44-46页 |
2.2.6 绝缘性 | 第46-47页 |
2.2.7 封孔对阳极氧化膜性能的影响 | 第47-48页 |
2.3 本章小结 | 第48-51页 |
第3章 Na_2CO_3溶液中铍微弧氧化膜的制备技术 | 第51-71页 |
3.1 实验 | 第51-54页 |
3.1.1 实验材料 | 第51-52页 |
3.1.2 微弧氧化设备 | 第52页 |
3.1.3 氧化膜的制备 | 第52-53页 |
3.1.4 氧化膜表征 | 第53-54页 |
3.2 结果与讨论 | 第54-69页 |
3.2.1 电压随时间变化曲线 | 第54-56页 |
3.2.2 氧化膜的生长 | 第56-62页 |
3.2.3 氧化膜成分及晶体结构 | 第62-64页 |
3.2.4 耐蚀性 | 第64-68页 |
3.2.5 绝缘性 | 第68-69页 |
3.3 本章小结 | 第69-71页 |
第4章 Be/Al阳极氧化膜的制备技术 | 第71-81页 |
4.1 实验 | 第71-74页 |
4.1.1 实验材料 | 第71-72页 |
4.1.2 Be/Al样品制备 | 第72页 |
4.1.3 Be/Al阳极氧化 | 第72-73页 |
4.1.4 薄膜表征 | 第73-74页 |
4.2 结果与讨论 | 第74-80页 |
4.2.1 铍表面铝镀层 | 第74-75页 |
4.2.2 阳极氧化中的电压时间曲线 | 第75-78页 |
4.2.3 氧化膜的结构与形貌 | 第78-79页 |
4.2.4 膜性能分析 | 第79-80页 |
4.3 本章小结 | 第80-81页 |
第5章 铍表面PECVD Si_3N_4薄膜的制备技术 | 第81-97页 |
5.1 实验 | 第81-85页 |
5.1.1 实验材料 | 第81-82页 |
5.1.2 实验样品前处理 | 第82页 |
5.1.3 设备及装置 | 第82-83页 |
5.1.4 镀膜工艺流程 | 第83页 |
5.1.5 实验过程 | 第83-84页 |
5.1.6 薄膜表征 | 第84-85页 |
5.2 结果与讨论 | 第85-95页 |
5.2.1 沉积温度对Si_3N_4薄膜的影响 | 第85-88页 |
5.2.2 射频功率对Si_3N_4薄膜的影响 | 第88-89页 |
5.2.3 反应压力对Si_3N_4薄膜的影响 | 第89-92页 |
5.2.4 气体流量比(SiH_4/NH_3)对Si_3N_4薄膜的影响 | 第92-93页 |
5.2.5 沉积时间对薄膜的影响 | 第93-94页 |
5.2.6 膜基结合力 | 第94-95页 |
5.3 本章小结 | 第95-97页 |
第6章 全文总结 | 第97-101页 |
6.1 结论 | 第97-98页 |
6.2 创新点 | 第98-99页 |
6.3 展望 | 第99-101页 |
参考文献 | 第101-107页 |
致谢 | 第107-109页 |
个人简历 | 第109-111页 |
攻读博士学位期间的主要成果 | 第111页 |