| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第12-26页 |
| 1.1 前言 | 第12-13页 |
| 1.2 微波压控介电材料 | 第13-17页 |
| 1.2.1 微波压控介电材料的研究近况 | 第13页 |
| 1.2.2 微波压控薄膜材料 | 第13-16页 |
| 1.2.3 微波压控介电薄膜材料的分类 | 第16-17页 |
| 1.3 锆钛酸钡铁电材料 | 第17-21页 |
| 1.3.1 铁电材料概述 | 第17-18页 |
| 1.3.2 BZT铁电材料的晶体结构 | 第18-20页 |
| 1.3.3 BZT材料的研究现状 | 第20-21页 |
| 1.4 锡钛酸钡材料 | 第21页 |
| 1.5 本文的主要工作 | 第21-23页 |
| 参考文献 | 第23-26页 |
| 第二章 锆钛酸钡薄膜的制备及表征方法 | 第26-39页 |
| 2.1 引言 | 第26页 |
| 2.2 薄膜制备方法 | 第26-31页 |
| 2.2.1 溶胶-凝胶法 | 第26-27页 |
| 2.2.2 磁控溅射法 | 第27-28页 |
| 2.2.3 脉冲激光沉积技术 | 第28-31页 |
| 2.3 表征方法 | 第31-35页 |
| 2.3.1 微观结构的表征 | 第31-34页 |
| 2.3.2 电学性能测试 | 第34-35页 |
| 2.4 电极的制备方法 | 第35-36页 |
| 2.4.1 离子溅射仪 | 第35页 |
| 2.4.2 DM220型高真空镀膜台 | 第35-36页 |
| 2.5 本章主要内容 | 第36-37页 |
| 参考文献 | 第37-39页 |
| 第三章 不同衬底温度的BZT薄膜的介电性能研究 | 第39-60页 |
| 3.1 引言 | 第39-40页 |
| 3.2 实验工艺 | 第40-45页 |
| 3.2.1 锆钛酸钡陶瓷靶材的制备 | 第40-45页 |
| 3.2.2 BZT薄膜的制备 | 第45页 |
| 3.3 不同衬底温度对BZT薄膜介电性能的影响 | 第45-55页 |
| 3.3.1 BZT薄膜的晶体结构随衬底温度变化的研究 | 第46-47页 |
| 3.3.2 BZT薄膜的形貌分析 | 第47页 |
| 3.3.3 BZT薄膜的介电性随衬底温度变化的研究 | 第47-55页 |
| 3.4 本章小结 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-60页 |
| 第四章 在不同衬底上沉积的BZT薄膜以及BZT和BTS单双层复合薄膜的性质研究 | 第60-80页 |
| 4.1 引言 | 第60-61页 |
| 4.2 薄膜的制备 | 第61页 |
| 4.3 不同衬底上生长的BZT薄膜的性质研究 | 第61-69页 |
| 4.3.1 不同衬底上生长的BZT薄膜的晶体结构分析 | 第61-62页 |
| 4.3.2 不同衬底上生长的BZT薄膜的表面形貌研究 | 第62-63页 |
| 4.3.3 衬底对BZT薄膜电学性质的影响 | 第63-69页 |
| 4.4 BZT和BTS双层复合膜的介电特性质研究 | 第69-75页 |
| 4.4.1 BZT和BTS复合膜的制备 | 第69-70页 |
| 4.4.2 薄膜晶体结构特性的研究 | 第70-71页 |
| 4.4.3 BZT和BTS复合薄膜的微观形貌研究 | 第71页 |
| 4.4.4 BZT和BTS复合膜的介电常数随频率的变化该关系 | 第71-73页 |
| 4.4.5 BZT和BTS复合膜的介电调谐特性的研究 | 第73-74页 |
| 4.4.6 BZT和BTS复合膜的漏电流密度测试 | 第74-75页 |
| 4.5 本章小结 | 第75-76页 |
| 参考文献 | 第76-80页 |
| 第五章 总结 | 第80-82页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第82-84页 |
| 致谢 | 第84-85页 |
