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纳米SiO2与聚乙烯基体界面态第一性原理计算研究

摘要第5-6页
Abstract第6-7页
第1章 绪论第10-17页
    1.1 课题背景及研究的目的意义第10-11页
    1.2 纳米电介质的研究现状第11-14页
        1.2.1 纳米电介质的提出和发展第11页
        1.2.2 纳米电介质的界面及其陷阱特性的研究现状第11-14页
    1.3 第一性原理计算在材料领域的研究现状第14-15页
    1.4 本论文的主要研究内容第15-17页
第2章 计算方法第17-25页
    2.1 理论基础第17-23页
        2.1.1 第一性原理计算方法第17页
        2.1.2 分子动力学第17-18页
        2.1.3 密度泛函理论第18-21页
        2.1.4 能带理论第21-22页
        2.1.5 态密度第22-23页
    2.2 计算软件简介第23-24页
        2.2.1 构建模型软件第23页
        2.2.2 模拟计算软件第23-24页
    2.3 本章小结第24-25页
第3章 二氧化硅聚乙烯界面模型第25-31页
    3.1 界面模型建立的理论基础第25-26页
        3.1.1 界面的作用第25页
        3.1.2 硅烷偶联剂改性纳米SiO2粒子的原理第25-26页
    3.2 理论模型的建立第26-29页
        3.2.1 初建模型第26-28页
        3.2.2 几何优化第28-29页
    3.3 计算结果分析第29-30页
    3.4 本章小结第30-31页
第4章 不同缺陷结构界面模型的陷阱特征分析第31-48页
    4.1 纳米复合介质中的陷阱分布第31-32页
    4.2 界面处存在不同缺陷模型的建立第32-35页
    4.3 计算结果分析第35-47页
    4.4 本章小结第47-48页
结论第48-49页
参考文献第49-53页
攻读硕士学位期间所发表的学术论文第53-54页
致谢第54页

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