| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-18页 |
| 第二章 文献综述 | 第18-44页 |
| ·一维纳米材料的特性、制备及应用 | 第18-23页 |
| ·一维纳米材料的定义及特性 | 第18-19页 |
| ·一维纳米材料的制备及应用 | 第19-23页 |
| ·硅化钛薄膜及纳米线的制备及性能 | 第23-32页 |
| ·硅化钛的性质 | 第23-24页 |
| ·硅化钛薄膜的研究现状 | 第24-26页 |
| ·硅化钛纳米线的制备及导电性测试 | 第26-32页 |
| ·硅化钛纳米线在场发射方面的研究现状 | 第32-39页 |
| ·场发射原理及场发射材料 | 第32-35页 |
| ·硅化钛纳米线的场发射性能研究现状 | 第35-36页 |
| ·场发射F-N理论 | 第36-39页 |
| ·纳米线作为电极在电介质薄膜当中的应用背景 | 第39-41页 |
| ·典型钙钛矿薄膜材料简介 | 第39-40页 |
| ·巨介电常数材料的研究现状 | 第40页 |
| ·一维纳米结构在超级电容器中的应用研究现状 | 第40-41页 |
| ·本课题的目的、意义 | 第41-44页 |
| 第三章 样品制备、测试方法及有限元分析法 | 第44-64页 |
| ·样品制备 | 第44-56页 |
| ·常压化学气相沉积制备硅化钛薄膜及纳米线 | 第44-50页 |
| ·溶胶—凝胶法制备BT及BST薄膜 | 第50-52页 |
| ·射频-磁控溅射制备PST薄膜 | 第52-56页 |
| ·测试方法及原理 | 第56-62页 |
| ·X射线衍射(XRD) | 第56-57页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第57页 |
| ·场发射扫描电镜(FESEM)及其能谱 | 第57-58页 |
| ·透射电子显微镜(TEM) | 第58-59页 |
| ·薄膜电阻率的测定 | 第59页 |
| ·X射线光电子能谱(XPS)测试 | 第59-61页 |
| ·介电性能测试 | 第61页 |
| ·场发射性能测试 | 第61-62页 |
| ·Ansoft maxwell有限元分析软件简介 | 第62-64页 |
| 第四章 玻璃基板上硅化钛薄膜的制备、形成与导电性研究 | 第64-98页 |
| ·引言 | 第64-65页 |
| ·玻璃基板上硅化钛薄膜诱导层的制备与形成规律研究 | 第65-72页 |
| ·玻璃上硅化钛薄膜的结构表征 | 第65-68页 |
| ·硅化钛薄膜形成的热力学分析 | 第68-72页 |
| ·TiSi_2诱导层的晶相形成研究 | 第72-86页 |
| ·源气体总浓度对TiSi_2诱导层晶相形成的影响 | 第72-76页 |
| ·沉积温度对TiSi_2诱导层晶相形成的影响 | 第76-81页 |
| ·沉积时间对TiSi_2诱导层晶相形成的影响 | 第81-83页 |
| ·基板对硅化钛诱导层形成的影响 | 第83-86页 |
| ·Ti_5Si_3诱导层的晶相形成研究 | 第86-92页 |
| ·源气体总浓度对Ti_5Si_3诱导层晶相形成的影响 | 第86-89页 |
| ·沉积温度对Ti_5Si_3诱导层晶相形成的影响 | 第89-91页 |
| ·沉积时间对Ti_5Si_3诱导层晶相形成的影响 | 第91-92页 |
| ·硅化钛薄膜的导电性表征 | 第92-96页 |
| ·源气体浓度比对硅化钛薄膜导电性的影响 | 第92-93页 |
| ·源气体总浓度对TiSi_2薄膜导电性的影响 | 第93-94页 |
| ·温度对TiSi_2薄膜导电性的影响 | 第94-95页 |
| ·沉积时间对TiSi_2薄膜导电性的影响 | 第95-96页 |
| ·本章小结 | 第96-98页 |
| 第五章 硅化钛薄膜层上TiSi纳米线的形成研究 | 第98-132页 |
| ·引言 | 第98页 |
| ·TiSi_2诱导层薄膜上TiSi纳米线的形成及机理研究 | 第98-106页 |
| ·TiSi普通纳米线的形成及表征 | 第98-101页 |
| ·TiSi火箭状纳米线的形成及表征 | 第101-105页 |
| ·TiSi_2诱导层薄膜上TiSi纳米线的形成机理分析 | 第105-106页 |
| ·TiSi_2诱导层薄膜上TiSi纳米线的控制生长 | 第106-119页 |
| ·源气体浓度对TiSi纳米线形成的影响 | 第106-111页 |
| ·温度对TiSi纳米线形成的影响 | 第111-112页 |
| ·沉积时间对TiSi纳米线形成的影响 | 第112-115页 |
| ·基板对诱导层薄膜上形成TiSi纳米线的影响 | 第115-119页 |
| ·Ti_5Si_3诱导层薄膜上TiSi一维纳米结构的生长 | 第119-125页 |
| ·源气体浓度对TiSi纳米线形成的影响 | 第119-122页 |
| ·温度对TiSi纳米钉形成的影响 | 第122-123页 |
| ·沉积时间对TiSi纳米线形成的影响 | 第123-125页 |
| ·薄膜诱导层对TiSi纳米线形成的影响及影响机理研究 | 第125-130页 |
| ·本章小结 | 第130-132页 |
| 第六章 TiSi纳米线/硅化钛薄膜一体结构的场发射性能研究 | 第132-152页 |
| ·引言 | 第132-133页 |
| ·TiSi一维纳米结构/Ti_5Si_3薄膜的场发射性能研究 | 第133-138页 |
| ·TiSi纳米钉/Ti_5Si_3薄膜一体结构的场发射性能研究 | 第133-134页 |
| ·纳米线形貌对TiSi纳米线/Ti_5Si_3薄膜一体结构场发射性能的影响 | 第134-138页 |
| ·TiSi纳米线/TiSi_2薄膜一体结构的场发射性能研究 | 第138-145页 |
| ·TiSi火箭状纳米线/TiSi_2薄膜一体结构的场发射性能研究 | 第138-140页 |
| ·纳米线形貌对TiSi纳米线/TiSi_2薄膜场发射性能的影响 | 第140-145页 |
| ·薄膜成份对TiSi纳米线/硅化钛薄膜一体结构场发射性能的影响 | 第145-146页 |
| ·电极间距对TiSi纳米线/TiSi_2薄膜一体结构场发射性能的影响 | 第146-147页 |
| ·TiSi纳米线/硅化钛薄膜一体结构场发射性能与文献中的对比研究 | 第147-149页 |
| ·本章小结 | 第149-152页 |
| 第七章 硅化钛薄膜及TiSi纳米线/硅化钛薄膜作为电极在电容器中的应用及性能研究 | 第152-192页 |
| ·引言 | 第152-153页 |
| ·溶胶-凝胶法在硅化钛薄膜及纳米线电极上制备电介质薄膜及其电容性能研究 | 第153-184页 |
| ·TiSi纳米线/Ti_5Si_3薄膜上BT薄膜的制备及介电性能研究 | 第153-158页 |
| ·TiSi纳米线/Ti_5Si_3薄膜上BST薄膜的制备及介电性能研究 | 第158-170页 |
| ·Ti_5Si_3薄膜电极上BST薄膜的制备及介电性能研究 | 第170-176页 |
| ·Ti_5Si_3薄膜与TiSi纳米线/Ti_5Si_3薄膜电极上BST薄膜的介电性能对比研究 | 第176-180页 |
| ·Ti_5Si_3薄膜、TiSi纳米线/Ti_5Si_3薄膜及TiSi纳米线/TiSi_2+Ti_5Si_3薄膜上BT薄膜的形成及介电性能对比研究 | 第180-184页 |
| ·磁控溅射法TiSi纳米线/硅化钛薄膜电极上制备PST薄膜及其电容性能研究 | 第184-191页 |
| ·TiSi纳米线/Ti_5Si_3薄膜上PST薄膜的制备及其介电性能研究 | 第184-187页 |
| ·Ti_5Si_3薄膜与TiSi纳米线/Ti_5Si_3薄膜上PST薄膜介电性能对比研究 | 第187-189页 |
| ·溅射次数对TiSi纳米线/Ti_5Si_3薄膜上PST薄膜介电性能的影响 | 第189-191页 |
| ·本章小结 | 第191-192页 |
| 第八章 结论及展望 | 第192-196页 |
| ·结论 | 第192-194页 |
| ·展望 | 第194-196页 |
| 参考文献 | 第196-214页 |
| 致谢 | 第214-216页 |
| 个人简介 | 第216-218页 |
| 攻博期间发表的学术论文与取得的其他研究成果 | 第218-219页 |
