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量子相干系综中吸收及折射率性质的研究

第一章 绪论第8-34页
    1.1 原子相干及相关物理效应研究的历史和现状第8-30页
    1.2 本论文的主要内容及意义第30-34页
第二章 研究原子相干现象的理论工具第34-63页
    2.1 描述量子系统的三种基本图像第34-38页
    2.2 光与物质相互作用的半经典相关理论第38-49页
    2.3 全量子化哈密顿和自发辐射的 Weisskopf-Weigner 理论第49-55页
    2.4 缀饰态理论第55-63页
第三章 真空及微波感应相干对原子系统瞬态过程吸收特性的影响第63-96页
    3.1 引言第63-65页
    3.2 真空感应相干效应对 Λ 型原子瞬态吸收特性的影响第65-76页
    3.3 真空感应相干效应对 V 型原子瞬态吸收特性的影响第76-85页
    3.4 微波驱动 Λ 型原子系统中瞬态吸收的消除第85-94页
    3.5 结论第94-96页
第四章 利用真空感应相干效应实现无吸收高折射率的相位控制第96-117页
    4.1 引言第96-97页
    4.2 三能级系统中无吸收高折射率的相位控制第97-105页
    4.3 存在多通道干涉效应的四能级系统中无吸收高折射率的相位控制第105-115页
    4.4 结论第115-117页
第五章 一个四能级原子系统中吸收机制的研究第117-132页
    5.1 引言第117页
    5.2 原子模型和理论分析第117-130页
    5.3 结论第130-132页
第六章 三能级系统中频率上转换区域的光放大研究第132-149页
    6.1 引言第132-133页
    6.2 原子模型、稳态增益:密度矩阵分析第133-142页
    6.3 增益机制:量子跳跃分析第142-148页
    6.4 结论第148-149页
第七章 相干驱动原子系统中的多透明窗和超窄谱线第149-162页
    7.1 引言第149-150页
    7.2 原子模型及密度矩阵方程第150-153页
    7.3 数值分析第153-160页
    7.4 结论第160-162页
第八章 半导体量子阱结构中的隧穿感应瞬态增益第162-172页
    8.1 引言第162-163页
    8.2 理论模型及方程第163-166页
    8.3 隧穿感应瞬态增益第166-169页
    8.4 隧穿感应稳态光透明第169-171页
    8.5 结论第171-172页
参考文献第172-181页
论文总结第181-185页
中文摘要第185-202页
英文摘要第202页
发表论文及获奖情况第220-224页
致谢第224-225页

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