| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 缩略词 | 第11-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-20页 |
| 1.1 研究背景和意义 | 第12-13页 |
| 1.2 等离子体天线研究现状 | 第13-19页 |
| 1.2.1 气态等离子体天线 | 第13-15页 |
| 1.2.2 固态等离子体天线 | 第15-19页 |
| 1.3 本文的主要研究工作 | 第19-20页 |
| 第二章 固态等离子体天线理论 | 第20-33页 |
| 2.1 引言 | 第20页 |
| 2.2 天线的基本理论 | 第20-25页 |
| 2.2.1 天线的电参数 | 第20-22页 |
| 2.2.2 阵列天线的基本理论 | 第22-25页 |
| 2.3 等离子体理论 | 第25-29页 |
| 2.3.1 气态等离子体理论分析 | 第25-27页 |
| 2.3.2 固态等离子体理论分析 | 第27-29页 |
| 2.4 半导体理论 | 第29-32页 |
| 2.4.1 载流子的有效质量 | 第29-30页 |
| 2.4.2 载流子的漂移运动和半导体的电导率 | 第30-31页 |
| 2.4.3 半导体额外载流子的扩散运动 | 第31-32页 |
| 2.5 本章小结 | 第32-33页 |
| 第三章S-PIN固态等离子体方向图可重构阵列天线 | 第33-51页 |
| 3.1 引言 | 第33页 |
| 3.2 S-PIN特性研究 | 第33-40页 |
| 3.2.1 S-PIN单元基本原理介绍 | 第33-34页 |
| 3.2.2 S-PIN单元物理模型设计 | 第34-35页 |
| 3.2.3 S-PIN单元特性研究 | 第35-40页 |
| 3.3 基于S-PIN的固态等离子体方向图可重构阵列天线 | 第40-50页 |
| 3.3.1 阵列天线单元设计 | 第41-44页 |
| 3.3.2 方向图可重构的 1?4 天线阵设计 | 第44-50页 |
| 本章小结 | 第50-51页 |
| 第四章 GaAs-PIN固态等离子体可重构天线 | 第51-70页 |
| 4.1 引言 | 第51页 |
| 4.2 GaAs-PIN单元特性研究 | 第51-54页 |
| 4.2.1 GaAs-PIN单元的物理模型 | 第51-52页 |
| 4.2.2 GaAs-PIN单元的特性分析 | 第52-54页 |
| 4.3 基于GaAs-PIN的固态等离子体频率可重构天线 | 第54-57页 |
| 4.4 基于GaAs-PIN的固态等离子体可重构阵列天线 | 第57-64页 |
| 4.4.1 固态GaAsPA阵初步仿真设计 | 第57-59页 |
| 4.4.2 固态GaAsPA阵的关键技术分析 | 第59-64页 |
| 4.5 实验分析 | 第64-68页 |
| 4.6 本章小结 | 第68-70页 |
| 第五章 总结与展望 | 第70-72页 |
| 5.1 总结 | 第70-71页 |
| 5.2 展望 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-77页 |
| 致谢 | 第77-78页 |
| 在学期间的研究成果及发表的学术论文 | 第78页 |
