| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号与对照表 | 第10-11页 |
| 缩略语对照表 | 第11-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-24页 |
| 1.1 选题背景 | 第14-16页 |
| 1.2 宽禁带半导体辐射探测器综述 | 第16-20页 |
| 1.2.1 宽禁带半导体辐射探测器材料 | 第16-17页 |
| 1.2.2 α粒子相关性质 | 第17-18页 |
| 1.2.3 肖特基二极管和PN（PiN）结二极管 | 第18-20页 |
| 1.3 宽禁带半导体辐射探测器的相关研究和应用 | 第20-21页 |
| 1.4 本论文的主要工作内容 | 第21-24页 |
| 第二章 材料的基本性质和特点 | 第24-40页 |
| 2.1 Si C材料的基本性质和特点 | 第24-32页 |
| 2.1.1 Si C材料基本结构 | 第24-27页 |
| 2.1.2 Si C材料的特点 | 第27-30页 |
| 2.1.3 Si C材料的生长技术 | 第30-32页 |
| 2.2 4H-SiC材料的结构和特性 | 第32-37页 |
| 2.2.1 4H-SiC材料的结构特点 | 第32-33页 |
| 2.2.2 4H-SiC材料的特性 | 第33-37页 |
| 2.2.3 4H-SiC材料α粒子探测器的研究现状 | 第37页 |
| 2.3 本章小结 | 第37-40页 |
| 第三章 设计 4H-SiC材料PiN二极管探测器 | 第40-50页 |
| 3.1 4H-SiC材料PiN二极管探测器器件结构 | 第40-41页 |
| 3.1.1 4H-SiC材料PiN二极管结构 | 第40页 |
| 3.1.2 4H-SiC材料PiN二极管探测器对α粒子的响应测试 | 第40-41页 |
| 3.2 通过软件SRIM确定PiN结中外延层的厚度 | 第41-42页 |
| 3.2.1 SRIM软件简介 | 第41页 |
| 3.2.2 SRIM软件模拟结果分析 | 第41-42页 |
| 3.3 4H-SiC材料p型欧姆接触 | 第42-47页 |
| 3.3.1 4H-SiC欧姆接触综述 | 第42-45页 |
| 3.3.2 欧姆接触形成一种机理 | 第45-47页 |
| 3.3.3 制备p型欧姆接触的金属 | 第47页 |
| 3.4 本章小结 | 第47-50页 |
| 第四章 4H-SiC材料Pi N二极管α探测器特性仿真和制作工艺 | 第50-60页 |
| 4.1 4H-SiC材料PiN二极管α探测器特性仿真研究 | 第50-55页 |
| 4.2 4H-SiC材料PiN二极管α探测器制备工艺流程 | 第55-56页 |
| 4.3 实验制备的 4H-SiCPiN二极管器件的结构 | 第56-58页 |
| 4.4 本章小结 | 第58-60页 |
| 第五章 论文总结与研究展望 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-66页 |
| 致谢 | 第66-68页 |
| 作者简介 | 第68-69页 |
