| 摘要 | 第5-6页 |
| 英文摘要 | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-19页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 研究进展与市场趋势 | 第10-13页 |
| 1.3 OLED器件的物理机理 | 第13-17页 |
| 1.3.1 OLED的发光机理 | 第13-14页 |
| 1.3.2 OLED的载流子注入及传输机制 | 第14-17页 |
| 1.3.3 OLED器件发展中面临的几个问题 | 第17页 |
| 1.4 本论文的研究目的与主要工作 | 第17-19页 |
| 第二章 采用P型掺杂缓冲层的OLED器件的性能研究 | 第19-28页 |
| 2.1 引言 | 第19-20页 |
| 2.2 基于不同掺杂浓度的空穴缓冲层的器件制备与研究 | 第20-24页 |
| 2.2.1 器件的结构设计与制备 | 第20-22页 |
| 2.2.2 器件的性能研究 | 第22-24页 |
| 2.3 不同厚度的空穴缓冲层器件的结构设计与制备 | 第24-27页 |
| 2.3.1 器件的结构设计与制备 | 第24页 |
| 2.3.2 器件的性能研究 | 第24-27页 |
| 2.4 本章小结 | 第27-28页 |
| 第三章 基于N型分层注入与传输结构的OLED器件的发光性能研究 | 第28-37页 |
| 3.1 引言 | 第28页 |
| 3.2 C_(60)厚度的优化及性能研究 | 第28-30页 |
| 3.3 基于C_(60)电子传输层的不同电子缓冲层的器件结构设计及制备 | 第30-32页 |
| 3.4 实验结果与讨论 | 第32-36页 |
| 3.4.1 基于C_(60)/Alq3结构的器件性能分析 | 第32-33页 |
| 3.4.2 基于C_(60)/Bphen结构的器件性能分析 | 第33-34页 |
| 3.4.3 基于C_(60)/TPBi结构的器件性能分析 | 第34页 |
| 3.4.4 不同电子缓冲层对器件性能的讨论与分析 | 第34-36页 |
| 3.5 本章小结 | 第36-37页 |
| 第四章 类PIN结构的OLED器件的发光性能研究 | 第37-43页 |
| 4.1 引言 | 第37页 |
| 4.2 器件结构的设计及制备 | 第37-40页 |
| 4.2.1 单一空穴及单一电子型器件的I-V特性 | 第37-39页 |
| 4.2.2 基于F4-TCNQ:MoO_3/NPB与C_(60)/ Bphen的类PIN型OLED制备 30 | 第39-40页 |
| 4.3 基于蓝光TC-1759 的类PIN型OLED制备 | 第40-42页 |
| 4.4 本章小结 | 第42-43页 |
| 第五章 全文总结与展望 | 第43-45页 |
| 5.1 全文总结 | 第43-44页 |
| 5.2 后续工作展望 | 第44-45页 |
| 参考文献 | 第45-50页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第50-51页 |
| 致谢 | 第51-52页 |
