摘要 | 第4-5页 |
ABSTRACT | 第5-6页 |
第一章 绪论 | 第9-18页 |
1.1 引言 | 第9-10页 |
1.2 半导体光催化技术 | 第10-12页 |
1.2.1 光催化技术原理 | 第10-11页 |
1.2.2 影响光催化活性的因素 | 第11-12页 |
1.2.3 光催化技术的应用 | 第12页 |
1.3 TiO_2 | 第12-15页 |
1.3.1 TiO_2简介 | 第12页 |
1.3.2 TiO_2的制备 | 第12-13页 |
1.3.3 TiO_2改性 | 第13-14页 |
1.3.4 TiO_2选择光催化 | 第14页 |
1.3.5 TiO_2光催化反应机理 | 第14-15页 |
1.4 卤氧化铋 | 第15-16页 |
1.4.1 卤氧化铋制备方法、形貌以及光催化性能 | 第15-16页 |
1.5 研究目的和主要工作 | 第16-18页 |
第二章 含乙烯基的离子液体介质中制备锐钛矿型二氧化钛提高光催化活性 | 第18-26页 |
2.1 引言 | 第18页 |
2.2 实验 | 第18-20页 |
2.2.1 材料准备 | 第18-19页 |
2.2.2 二氧化钛(TiO_2)的合成 | 第19页 |
2.2.3 光生电流的测量 | 第19页 |
2.2.4 光催化活性的测量 | 第19页 |
2.2.5 表征 | 第19-20页 |
2.3 结果与讨论 | 第20-25页 |
2.3.1 TiO_2-IL和TiO_2-control对照样的形貌 | 第20页 |
2.3.2 TiO_2-IL和TiO_2-control对照样的XRD分析 | 第20-21页 |
2.3.3 TiO_2-IL和TiO_2-control对照样的孔结构和比表面积 | 第21-22页 |
2.3.4 TiO_2-IL和TiO_2-control对照样的紫外-可见漫反射光谱 | 第22-23页 |
2.3.5 TiO_2-IL和TiO_2-control对照样的光电流测试 | 第23-24页 |
2.3.6 TiO_2-IL和TiO_2-control对照样的光催化活性 | 第24-25页 |
2.4 结论 | 第25-26页 |
第三章 溶胶-水热法合成无机框架分子印迹纳米TiO_2及其光催化降解目标污染物 | 第26-40页 |
3.1 引言 | 第26-27页 |
3.2 实验部分 | 第27-29页 |
3.2.1 材料 | 第27页 |
3.2.2 合成分子印迹TiO_2和非分子印迹TiO_2 | 第27页 |
3.2.3 表征 | 第27页 |
3.2.4 吸附性能研究 | 第27-29页 |
3.2.5 光催化活性测试 | 第29页 |
3.2.6 pH对MIP-TiO_2光催化活性的影响 | 第29页 |
3.2.7 MIP-TiO_2的可重用性 | 第29页 |
3.3 结果和讨论 | 第29-39页 |
3.3.1 XRD分析 | 第29-30页 |
3.3.2 扫描电镜 | 第30-31页 |
3.3.3 紫外 -可见 | 第31-33页 |
3.3.4 吸附动力学 | 第33页 |
3.3.5 吸附等温线 | 第33-35页 |
3.3.6 温度对热液法制备分子印迹-TiO_2的影响 | 第35页 |
3.3.7 水热时间对分子印迹-TiO_2光催化活性的影响 | 第35-36页 |
3.3.8 分子印迹-TiO_2和非分子印迹-TiO_2光催化活性的比较 | 第36-37页 |
3.3.9 溶液pH值影响 | 第37-38页 |
3.3.10 分子印迹-TiO_2的重复利用 | 第38-39页 |
3.4 结论 | 第39-40页 |
第四章 碘源对碘氧化铋光催化活性的影响 | 第40-49页 |
4.1 前言 | 第40页 |
4.2 实验部分 | 第40-42页 |
4.2.1 材料 | 第40-41页 |
4.2.2 BiOI的合成 | 第41页 |
4.2.3 结构表征 | 第41页 |
4.2.4 光电化学测试 | 第41-42页 |
4.2.5 4-硝基苯酚在黑暗中吸附性能 | 第42页 |
4.2.6 光催化实验 | 第42页 |
4.3 结果和讨论 | 第42-48页 |
4.3.1 XRD分析 | 第42-43页 |
4.3.2 SEM分析 | 第43-44页 |
4.3.3 有效表面积和多孔结构 | 第44页 |
4.3.4 紫外可见漫反射光谱 | 第44-45页 |
4.3.5 光电流响应 | 第45-46页 |
4.3.6 黑暗条件下的吸附性能 | 第46-47页 |
4.3.7 光催化活性 | 第47-48页 |
4.4 结论 | 第48-49页 |
参考文献 | 第49-57页 |
硕士期间发表的论文 | 第57-58页 |
致谢 | 第58-60页 |