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紧凑型强流D-D中子发生器的物理设计

摘要第3-4页
ABSTRACT第4页
第一章 引言第7-23页
    1.1 中子物理与中子应用技术综述第7页
    1.2 中子源的类型及特性综述第7-16页
        1.2.1 中子源的类型及描述中子源特性的基本参数第7页
        1.2.2 同位素中子源及其特性第7-9页
        1.2.3 裂变反应堆中子源及其特性第9-10页
        1.2.4 加速器中子源及其特性第10-16页
    1.3 小型D-D/D-T中子发生器的研究现状及应用前景第16-21页
        1.3.1 小型D-D/D-T中子发生器的研究现状第16-19页
        1.3.2 紧凑型D-D/D-T中子发生器的应用前景第19-21页
    1.4 研究背景及论文的主要研究内容第21-23页
        1.4.1 研究背景第21页
        1.4.2 本论文的主要研究内容第21-23页
第二章:紧凑型D-D中子发生器总体指标及束流参数物理设计第23-30页
    2.1 总体指标概述第23页
    2.2 D-D中子发生器中子产额、能谱及角分布计算第23-29页
        2.2.1 计算方法第23-25页
        2.2.2 计算结果及讨论第25-29页
    2.3 总结第29-30页
第三章:紧凑型D-D中子发生器结构设计及物理设计第30-56页
    3.1 紧凑型D-D中子发生器总体结构设计方案第30-34页
        3.1.1 中子发生器主体(Ⅰ)第30-32页
        3.1.2 电源及测量控制元件集成柜(Ⅱ)第32-33页
        3.1.3 计算机控制系统(Ⅲ)第33-34页
    3.2 离子源选择及物理设计第34-43页
        3.2.1 各种紧凑型离子源综述第34-38页
        3.2.2 双等离子源物理设计第38-43页
    3.3 引出加速区电场分布模拟第43-51页
        3.3.1 模拟模型建立第43-44页
        3.3.2 引出及加速电场模拟结果及讨论第44-51页
    3.4 D束流传输状态模拟第51-54页
        3.4.1 MAGIC软件介绍第51-52页
        3.4.2 紧凑型D-D中子发生器束流传输状态模拟第52-54页
    3.5 总结第54-56页
第四章:紧凑型D-D中子发生器靶冷却模拟研究第56-65页
    4.1 靶片温度的数值模拟第56-60页
        4.1.1 靶及冷却系统的设计方案第56-57页
        4.1.2 热传导原理第57-58页
        4.1.3 氘钛靶系统热传导方程的建立第58-59页
        4.1.4 靶温升的数值模拟方法第59-60页
    4.2 结果及讨论第60-62页
    4.3 与ANSYS模拟结果对照比较第62-64页
    4.4 总结第64-65页
第五章:总结与展望第65-66页
参考文献第66-70页
在学期间的研究成果第70-71页
致谢第71页

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