摘要 | 第3-4页 |
ABSTRACT | 第4页 |
第一章 引言 | 第7-23页 |
1.1 中子物理与中子应用技术综述 | 第7页 |
1.2 中子源的类型及特性综述 | 第7-16页 |
1.2.1 中子源的类型及描述中子源特性的基本参数 | 第7页 |
1.2.2 同位素中子源及其特性 | 第7-9页 |
1.2.3 裂变反应堆中子源及其特性 | 第9-10页 |
1.2.4 加速器中子源及其特性 | 第10-16页 |
1.3 小型D-D/D-T中子发生器的研究现状及应用前景 | 第16-21页 |
1.3.1 小型D-D/D-T中子发生器的研究现状 | 第16-19页 |
1.3.2 紧凑型D-D/D-T中子发生器的应用前景 | 第19-21页 |
1.4 研究背景及论文的主要研究内容 | 第21-23页 |
1.4.1 研究背景 | 第21页 |
1.4.2 本论文的主要研究内容 | 第21-23页 |
第二章:紧凑型D-D中子发生器总体指标及束流参数物理设计 | 第23-30页 |
2.1 总体指标概述 | 第23页 |
2.2 D-D中子发生器中子产额、能谱及角分布计算 | 第23-29页 |
2.2.1 计算方法 | 第23-25页 |
2.2.2 计算结果及讨论 | 第25-29页 |
2.3 总结 | 第29-30页 |
第三章:紧凑型D-D中子发生器结构设计及物理设计 | 第30-56页 |
3.1 紧凑型D-D中子发生器总体结构设计方案 | 第30-34页 |
3.1.1 中子发生器主体(Ⅰ) | 第30-32页 |
3.1.2 电源及测量控制元件集成柜(Ⅱ) | 第32-33页 |
3.1.3 计算机控制系统(Ⅲ) | 第33-34页 |
3.2 离子源选择及物理设计 | 第34-43页 |
3.2.1 各种紧凑型离子源综述 | 第34-38页 |
3.2.2 双等离子源物理设计 | 第38-43页 |
3.3 引出加速区电场分布模拟 | 第43-51页 |
3.3.1 模拟模型建立 | 第43-44页 |
3.3.2 引出及加速电场模拟结果及讨论 | 第44-51页 |
3.4 D束流传输状态模拟 | 第51-54页 |
3.4.1 MAGIC软件介绍 | 第51-52页 |
3.4.2 紧凑型D-D中子发生器束流传输状态模拟 | 第52-54页 |
3.5 总结 | 第54-56页 |
第四章:紧凑型D-D中子发生器靶冷却模拟研究 | 第56-65页 |
4.1 靶片温度的数值模拟 | 第56-60页 |
4.1.1 靶及冷却系统的设计方案 | 第56-57页 |
4.1.2 热传导原理 | 第57-58页 |
4.1.3 氘钛靶系统热传导方程的建立 | 第58-59页 |
4.1.4 靶温升的数值模拟方法 | 第59-60页 |
4.2 结果及讨论 | 第60-62页 |
4.3 与ANSYS模拟结果对照比较 | 第62-64页 |
4.4 总结 | 第64-65页 |
第五章:总结与展望 | 第65-66页 |
参考文献 | 第66-70页 |
在学期间的研究成果 | 第70-71页 |
致谢 | 第71页 |