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钨的表面纳米化及钨、碳化硅氦离子注入研究

摘要第6-7页
Abstract第7-8页
目录第9-12页
第1章 绪论第12-44页
    1.1 引言第12-15页
    1.2 面向等离子体材料第15-16页
    1.3 钨及钨合金的研究现状第16-29页
        1.3.1 钨的基本性能第16-17页
        1.3.2 钨及钨合金改性研究现状第17-21页
        1.3.3 超细晶/纳米晶钨的研究进展第21-29页
            1.3.3.1 “自上而下”(Top-Down)法第22页
            1.3.3.2 “自下而上”(Bottom-Up)法第22页
            1.3.3.3 表面机械研磨处理(SMAT)第22-29页
    1.4 钨用作面向等离子体材料所面临的关键问题第29-30页
    1.5 钨在离子辐照作用下的损伤行为第30-40页
        1.5.1 D/T辐照效应第30-32页
        1.5.2 14MeV中子辐照效应第32页
        1.5.3 He辐照效应第32-40页
            1.5.3.1 氦的基本性质第32-33页
            1.5.3.2 氦泡的形核长大机制第33-39页
            1.5.3.3 氦的引入第39-40页
    1.6 碳化硅在离子辐照作用下的损伤行为第40-42页
        1.6.1 化学溅射第40-41页
        1.6.2 热解吸第41页
        1.6.3 Tokamak原位等离子体辐照损伤性能第41-42页
    1.7 本文的研究目的及主要研究内容第42-44页
第2章 实验表征方法和测试手段第44-51页
    2.1 表面机械研磨处理(SMAT)第44页
    2.2 显微硬度测试第44页
    2.3 抗弯强度第44-45页
    2.4 夏比冲击实验(Charpy Impact Test)第45页
    2.5 扫描电镜表征(SEM)第45-46页
    2.6 聚焦离子束扫描显微镜分析(FIB-SEM)第46-48页
    2.7 透射电镜表征(TEM)第48页
    2.8 200kV的离子注入机第48-49页
    2.9 SRIM模拟第49页
    2.10 原子力显微镜(Atomic Force Microscope,AFM)第49-51页
第3章 钨表面纳米层的制备及表征第51-71页
    3.1 引言第51页
    3.2 试验材料第51页
    3.3 弹丸的选择第51-52页
    3.4 性能测试第52-57页
        3.4.1 弹丸后样品基本性质测试第52-53页
        3.4.2 显微硬度测试第53-54页
        3.4.3 三点抗弯强度测试第54-56页
        3.4.4 韧脆化转变温度(DBTT)测试第56-57页
    3.5 微观组织结构分析第57-67页
        3.5.1 DBTT冲击断口形貌表征第57-61页
        3.5.2 截面形貌表征第61-64页
        3.5.3 晶体结构表征第64-67页
    3.6 钨的纳米化机制及强度、塑性差异的分析第67-69页
    3.7 本章小结第69-71页
第4章 钨在氦作用下材料微观结构演化研究第71-94页
    4.1 引言第71页
    4.2 试验材料第71页
    4.3 实验过程第71-73页
        4.3.1 钨的透射电镜样品制备第71-72页
        4.3.2 氦离子辐照实验第72-73页
    4.4 样品的微观形貌表征第73-91页
        4.4.1 氦离子注入钨片前后表面的形貌变化第73-78页
            4.4.1.1 孔洞(Pores)的形成第74-75页
            4.4.1.2 氦泡(Blistering)的形成第75-77页
            4.4.1.3 “绒毛”(Fuzz)状纳米结构的形成第77-78页
        4.4.2 固态氦泡的TEM分析第78-89页
        4.4.3 温度对固态氦泡的影响第89-91页
    4.5 固态氦泡的形成机理第91-92页
    4.6 本章小结第92-94页
第5章 氦在碳化硅中的微观行为研究第94-101页
    5.1 引言第94页
    5.2 实验方法第94-95页
        5.2.1 实验材料第94-95页
        5.2.2 实验过程第95页
    5.3 结果与讨论第95-100页
        5.3.1 能量为100keV的氦离子注入SiC和高纯石墨第95-97页
        5.3.2 能量为20keV的氦离子注入SiC和高纯石墨第97-100页
    5.4 本章小结第100-101页
全文总结第101-104页
致谢第104-105页
参考文献第105-120页
攻读博士学位期间发表的论文及科研成果第120页

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