Ge基InAs/GaAs量子点发光结构探究
| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-18页 |
| 1.1 引言 | 第8-9页 |
| 1.2 Si、Ge及其合金 | 第9-10页 |
| 1.2.1 晶格结构 | 第9-10页 |
| 1.2.2 能带结构 | 第10页 |
| 1.3 Ⅲ-Ⅴ族砷化物 | 第10-11页 |
| 1.4 反相畴问题 | 第11-14页 |
| 1.5 量子点 | 第14-15页 |
| 1.6 文章主要构成 | 第15-18页 |
| 第二章 实验仪器 | 第18-28页 |
| 2.1 分子束外延系统 | 第18-22页 |
| 2.1.1 MBE构成 | 第18-20页 |
| 2.1.2 分子束外延的生长模式 | 第20-21页 |
| 2.1.3 实验使用MBE介绍 | 第21-22页 |
| 2.2 原子力显微镜 | 第22-24页 |
| 2.2.1 探测原理 | 第22-23页 |
| 2.2.2 探测模式 | 第23-24页 |
| 2.3 光致发光光谱测量系统 | 第24-25页 |
| 2.4 透射电子显微镜 | 第25-28页 |
| 第三章 Ge衬底的同质外延生长 | 第28-34页 |
| 3.1 脱氧 | 第28-29页 |
| 3.2 同质外延生长 | 第29-34页 |
| 第四章 Ge衬底GaAs薄膜异质外延生长 | 第34-42页 |
| 4.1 迁移率增强外延生长模式 | 第34-36页 |
| 4.2 双原子台阶效应 | 第36-39页 |
| 4.3 预置层 | 第39-42页 |
| 第五章 Ge基量子点发光结构 | 第42-52页 |
| 5.1 Ge基底 1.3μm波段量子点发光结构 | 第42-46页 |
| 5.1.1 量子点结构的优势 | 第42-43页 |
| 5.1.2 生长条件 | 第43-44页 |
| 5.1.3 结果表征 | 第44-46页 |
| 5.2 Ge基底 1.55μm波段量子点发光结构 | 第46-52页 |
| 5.2.1 生长条件 | 第46-47页 |
| 5.2.2 结果表征 | 第47-52页 |
| 第六章 总结与展望 | 第52-54页 |
| 参考文献 | 第54-58页 |
| 个人简历及发表文章目录 | 第58-60页 |
| 致谢 | 第60-62页 |
