| 摘要 | 第3-4页 |
| abstract | 第4页 |
| 主要符号说明 | 第8-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-21页 |
| 1.1 前言 | 第9-11页 |
| 1.2 自发辐射谱的研究现状 | 第11-12页 |
| 1.3 量子相干效应的介绍 | 第12-13页 |
| 1.4 半导体量子阱的结构介绍 | 第13-19页 |
| 1.4.1 量子阱综述 | 第13-14页 |
| 1.4.2 AlGaAs /GaAs量子阱结构 | 第14-16页 |
| 1.4.3 在量子阱中带内跃迁和带间跃迁的阐述 | 第16-18页 |
| 1.4.4 量子阱子带间的干涉效应基本原理 | 第18-19页 |
| 1.5 本文的主要内容 | 第19-21页 |
| 第二章 光与原子相互作用的物理理论和数学工具 | 第21-32页 |
| 2.1 量子系统的三种基本图像概述 | 第21-22页 |
| 2.2 光与物质相互作用的半经典理论推导 | 第22-25页 |
| 2.2.1 原子与光场相互作用模型分析 | 第22-24页 |
| 2.2.2 半经典理论下概率幅求解 | 第24-25页 |
| 2.3 光与介质相互作用的全量子理论介绍 | 第25-26页 |
| 2.3.1 原子与场相互作用的哈密顿量阐述 | 第25-26页 |
| 2.4 缀饰态理论的阐述 | 第26-28页 |
| 2.5 自发辐射的Weisskopf-Wigner理论 | 第28-30页 |
| 2.6 Laplace变换及相关理论 | 第30-32页 |
| 第三章 自发辐射谱在三能级量子阱系统的研究 | 第32-40页 |
| 3.1 介绍 | 第32-33页 |
| 3.2 理论模型和运动方程 | 第33-36页 |
| 3.3 数值模拟结果 | 第36-39页 |
| 3.4 结论 | 第39-40页 |
| 第四章 Y型半导体量子阱中自发辐射谱的研究 | 第40-50页 |
| 4.1 引言 | 第40页 |
| 4.2 模型分析 | 第40-45页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第45-49页 |
| 4.4 结论 | 第49-50页 |
| 第五章 总结 | 第50-51页 |
| 5.1 本文回顾和概括 | 第50页 |
| 5.2 本文章的展望 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-57页 |
| 个人简历 在读期间发表的学术论文 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58页 |