| 致谢 | 第4-5页 |
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 1 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 课题应用背景 | 第9-11页 |
| 1.2 光刻技术简介 | 第11-14页 |
| 1.3 课题研究现状 | 第14-16页 |
| 1.4 本文的研究内容与创新点 | 第16-17页 |
| 2 厚胶光刻工艺原理 | 第17-27页 |
| 2.1 曝光工艺 | 第17-18页 |
| 2.2 烘烤工艺 | 第18-22页 |
| 2.3 显影工艺 | 第22-23页 |
| 2.4 光刻系统 | 第23-27页 |
| 3 光吸收器的设计与制备 | 第27-44页 |
| 3.1 引言 | 第27-28页 |
| 3.2 光吸收器膜系设计 | 第28-40页 |
| 3.2.1 初始膜系设计 | 第28-30页 |
| 3.2.2 模拟退火算法优化 | 第30-32页 |
| 3.2.3 膜系角度特性 | 第32-33页 |
| 3.2.4 膜系电场强度分布和吸收特性 | 第33-34页 |
| 3.2.5 膜系敏感度 | 第34-39页 |
| 3.2.6 Ge/SiO_2和Ir/SiO_2光吸收膜系 | 第39-40页 |
| 3.3 实验结果与讨论 | 第40-43页 |
| 3.4 本章小结 | 第43-44页 |
| 4 厚胶光刻工艺的优化 | 第44-66页 |
| 4.1 匀胶工艺的优化 | 第44-52页 |
| 4.1.1 边胶去除 | 第45-47页 |
| 4.1.2 膜厚控制 | 第47-50页 |
| 4.1.3 双层甩胶工艺 | 第50-52页 |
| 4.2 烘烤工艺的优化 | 第52-53页 |
| 4.2.1 前烘温度设计 | 第52页 |
| 4.2.2 烘烤热应力的消除 | 第52-53页 |
| 4.3 曝光工艺优化 | 第53-58页 |
| 4.3.1 曝光剂量对台阶形貌的影响 | 第53-54页 |
| 4.3.2 光刻胶对比度曲线的测定 | 第54-56页 |
| 4.3.3 光刻胶透射率曲线的测定 | 第56-58页 |
| 4.4 显影工艺的优化 | 第58-60页 |
| 4.4.1 厚胶显影速率的测定 | 第58-59页 |
| 4.4.2 台阶形貌的变化 | 第59-60页 |
| 4.5 组合优化实验 | 第60-65页 |
| 4.6 本章小结 | 第65-66页 |
| 5 总结与展望 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-72页 |
| 作者简介 | 第72页 |