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铜基薄膜太阳能电池材料缺陷和光电性质的理论研究

摘要第5-7页
ABSTRACT第7-9页
第一章 绪论第16-36页
    1.1 太阳能电池发展概况第16-24页
        1.1.1 太阳光与半导体第16-18页
        1.1.2 太阳能电池的发展历史第18-24页
    1.2 Cu基薄膜太阳能电池第24-27页
    1.3 中间带太阳能电池第27-33页
        1.3.1 量子点中间带太阳能电池第28-29页
        1.3.2 高度不匹配合金第29-30页
        1.3.3 杂质带太阳能电池第30-33页
    1.4 黄铜矿结构材料第33-35页
    1.5 本论文的研究内容及意义第35-36页
第二章 理论计算方法第36-54页
    2.1 Born-Oppenheimer近似第36-37页
    2.2 Hartree-Fock方法第37-39页
    2.3 密度泛函理论第39-47页
        2.3.1 从波函数到密度泛函第39页
        2.3.2 Hohenberg-Kohn定理第39-40页
        2.3.3 Kohn- Sham方程第40-42页
        2.3.4 交换关联近似第42-43页
        2.3.5 赝势第43-46页
        2.3.6 密度泛函理论的缺点第46-47页
    2.4 解决带隙的方法第47-54页
        2.4.1 LDA (GGA)+U第47-49页
        2.4.2 准粒子计算第49-50页
        2.4.3 杂化泛函理论第50-54页
第三章 太阳能电池材料Cu_2ZnSnSe_4中Na相关缺陷的研究第54-64页
    3.1 引言第54-55页
    3.2 计算方法第55-56页
    3.3 结果与讨论第56-63页
        3.3.1 能带结构第56-59页
        3.3.2 缺陷的形成能和电荷转移能级第59-61页
        3.3.3 缺陷的迁移性质第61-63页
    3.4 总结第63-64页
第四章 过渡金属元素Fe,Co,Ni掺杂CuGaS_2中间带太阳能电池的研究第64-72页
    4.1 引言第64-65页
    4.2 计算方法与模型第65页
    4.3 结果与讨论第65-70页
        4.3.1 电子结构第65-68页
        4.3.2 光学性质第68-70页
    4.4 本章小结第70-72页
第五章 Sn掺杂CuGaS_2引起的中间带第72-82页
    5.1 引言第72页
    5.2 计算方法第72-73页
    5.3 结果与讨论第73-80页
        5.3.1 结构与电子结构性质第73-76页
        5.3.2 光学性质第76页
        5.3.3 动力学和相稳定性第76-80页
    5.4 本章小结第80-82页
第六章 第V主族元素n-p共掺杂CuGaS_2中间带太阳能电池的研究第82-92页
    6.1 引言第82-83页
    6.2 计算方法与模型第83-84页
    6.3 结果与讨论第84-90页
        6.3.1 结构与电子结构性质第84-86页
        6.3.2 光学性质第86-88页
        6.3.3 相稳定性和缺陷性质第88-90页
    6.4 本章小结第90-92页
第七章 从优化的杂化泛函的角度对CuGaS_2:Sn_(Ga)中间带材料中缺陷物理的研究第92-104页
    7.1 引言第92-93页
    7.2 方法第93-100页
        7.2.1 计算框架第93-95页
        7.2.2 HSE(α,μ)参数的优化第95-97页
        7.2.3 HSE(0.26,0.08)在CuGaSe_2上的测试第97-100页
    7.3 结果与讨论第100-102页
    7.4 总结第102-104页
第八章 论文总结及展望第104-106页
    8.1 论文总结第104-105页
    8.2 工作创新点第105页
    8.3 研究展望第105-106页
参考文献第106-118页
附录A第118-120页
致谢第120-122页
在读期间发表的学术论文与取得的研究成果第122-123页

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