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GaAs宽带单片低噪声放大器研究

致谢第7-8页
摘要第8-9页
abstract第9页
第一章 绪论第15-20页
    1.1 单片微波集成电路发展历程第15-16页
    1.2 单片微波集成电路的优势及应用第16-17页
        1.2.1 MMIC主要优势第16-17页
        1.2.2 MMIC主要应用第17页
    1.3 本课题的研究意义及国内外现状第17-18页
    1.4 主要工作及章节安排第18-20页
第二章 低噪声放大器的基本理论第20-30页
    2.1 二端口网络理论第20-21页
    2.2 噪声理论第21-23页
    2.3 稳定性理论第23-24页
    2.4 功率增益第24-25页
    2.5 阻抗匹配第25-26页
    2.6 低噪声放大器的主要技术指标第26-29页
    2.7 本章小结第29-30页
第三章 MMIC工艺及器件模型研究第30-47页
    3.1 GaAs PHEMT基本工艺流程第30-32页
    3.2 工艺及实现途径第32-33页
        3.2.1 工艺介绍第32页
        3.2.2 实现途径第32-33页
    3.3 有源器件及模型第33-36页
        3.3.1 器件结构第33-34页
        3.3.2 器件模型第34-36页
    3.4 无源器件及模型第36-40页
        3.4.1 电阻第36-37页
        3.4.2 微带线第37页
        3.4.3 电感及模型第37-38页
        3.4.4 电容及模型第38-40页
    3.5 电感、电容的建模及验证第40-46页
        3.5.1 电感建模及验证第40-43页
        3.5.2 电容建模及验证第43-46页
    3.6 本章小结第46-47页
第四章 Ku波段低噪声放大器设计第47-63页
    4.1 设计指标第47页
    4.2 电路拓扑结构的选择第47-49页
    4.3 直流工作点及偏置电路的选择第49-53页
    4.4 同时实现最佳噪声匹配和输入匹配第53-55页
    4.5 稳定性设计第55-57页
    4.6 匹配电路设计第57-59页
        4.6.1 输入匹配网络设计第57-58页
        4.6.2 级间匹配网络设计第58-59页
        4.6.3 输出匹配网络设计第59页
    4.7 级联后原理图仿真结果第59-63页
第五章 版图优化及测试方案设计第63-72页
    5.1 版图设计及电磁仿真第63-65页
        5.1.1 版图布局第63页
        5.1.2 电磁仿真第63-64页
        5.1.3 联合仿真第64-65页
    5.2 提高芯片设计成功率的措施第65-69页
    5.3 芯片流片及测试方案第69-71页
        5.3.1 芯片流片第69-70页
        5.3.2 芯片测试第70-71页
    5.4 本章小结第71-72页
第六章 总结与展望第72-73页
    6.1 主要工作第72页
    6.2 不足及展望第72-73页
参考文献第73-77页
攻读硕士学位期间的学术活动及成果情况第77-78页

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