GaAs宽带单片低噪声放大器研究
致谢 | 第7-8页 |
摘要 | 第8-9页 |
abstract | 第9页 |
第一章 绪论 | 第15-20页 |
1.1 单片微波集成电路发展历程 | 第15-16页 |
1.2 单片微波集成电路的优势及应用 | 第16-17页 |
1.2.1 MMIC主要优势 | 第16-17页 |
1.2.2 MMIC主要应用 | 第17页 |
1.3 本课题的研究意义及国内外现状 | 第17-18页 |
1.4 主要工作及章节安排 | 第18-20页 |
第二章 低噪声放大器的基本理论 | 第20-30页 |
2.1 二端口网络理论 | 第20-21页 |
2.2 噪声理论 | 第21-23页 |
2.3 稳定性理论 | 第23-24页 |
2.4 功率增益 | 第24-25页 |
2.5 阻抗匹配 | 第25-26页 |
2.6 低噪声放大器的主要技术指标 | 第26-29页 |
2.7 本章小结 | 第29-30页 |
第三章 MMIC工艺及器件模型研究 | 第30-47页 |
3.1 GaAs PHEMT基本工艺流程 | 第30-32页 |
3.2 工艺及实现途径 | 第32-33页 |
3.2.1 工艺介绍 | 第32页 |
3.2.2 实现途径 | 第32-33页 |
3.3 有源器件及模型 | 第33-36页 |
3.3.1 器件结构 | 第33-34页 |
3.3.2 器件模型 | 第34-36页 |
3.4 无源器件及模型 | 第36-40页 |
3.4.1 电阻 | 第36-37页 |
3.4.2 微带线 | 第37页 |
3.4.3 电感及模型 | 第37-38页 |
3.4.4 电容及模型 | 第38-40页 |
3.5 电感、电容的建模及验证 | 第40-46页 |
3.5.1 电感建模及验证 | 第40-43页 |
3.5.2 电容建模及验证 | 第43-46页 |
3.6 本章小结 | 第46-47页 |
第四章 Ku波段低噪声放大器设计 | 第47-63页 |
4.1 设计指标 | 第47页 |
4.2 电路拓扑结构的选择 | 第47-49页 |
4.3 直流工作点及偏置电路的选择 | 第49-53页 |
4.4 同时实现最佳噪声匹配和输入匹配 | 第53-55页 |
4.5 稳定性设计 | 第55-57页 |
4.6 匹配电路设计 | 第57-59页 |
4.6.1 输入匹配网络设计 | 第57-58页 |
4.6.2 级间匹配网络设计 | 第58-59页 |
4.6.3 输出匹配网络设计 | 第59页 |
4.7 级联后原理图仿真结果 | 第59-63页 |
第五章 版图优化及测试方案设计 | 第63-72页 |
5.1 版图设计及电磁仿真 | 第63-65页 |
5.1.1 版图布局 | 第63页 |
5.1.2 电磁仿真 | 第63-64页 |
5.1.3 联合仿真 | 第64-65页 |
5.2 提高芯片设计成功率的措施 | 第65-69页 |
5.3 芯片流片及测试方案 | 第69-71页 |
5.3.1 芯片流片 | 第69-70页 |
5.3.2 芯片测试 | 第70-71页 |
5.4 本章小结 | 第71-72页 |
第六章 总结与展望 | 第72-73页 |
6.1 主要工作 | 第72页 |
6.2 不足及展望 | 第72-73页 |
参考文献 | 第73-77页 |
攻读硕士学位期间的学术活动及成果情况 | 第77-78页 |