摘要 | 第4-5页 |
Abstract | 第5-6页 |
第1章 前言 | 第9-21页 |
1.1 OLED的发光机理与现存问题 | 第9-11页 |
1.2 第三代高激子利用率纯有机电致发光材料 | 第11-14页 |
1.2.1 激子利用率 | 第11页 |
1.2.2 通过利用三线态激子达到高激子利用率 | 第11-14页 |
1.3 热活化延迟荧光(TADF) | 第14-19页 |
1.3.1 TADF的发光机理 | 第14-15页 |
1.3.2 热活化延迟荧光(TADF)研究现状 | 第15-19页 |
1.3.3 热活性型延迟荧光材料存在的问题 | 第19页 |
1.4 本论文的研究内容和意义 | 第19-21页 |
第2章 量子化学理论及计算方法 | 第21-30页 |
2.1 量子力学理论基础 | 第21-24页 |
2.1.1 波函数 | 第21页 |
2.1.2 薛定谔(Schr?dinger)方程 | 第21-24页 |
2.1.3 Hartree-Fock方程 | 第24页 |
2.2 量子化理论计算基础 | 第24-26页 |
2.2.1 密度泛函理论(DFT) | 第24-26页 |
2.2.2 含时密度泛函理论(TDDFT) | 第26页 |
2.3 计算方法 | 第26-30页 |
2.3.1 电荷转移态的计算 | 第26-28页 |
2.3.2 基组 | 第28-30页 |
第3章 TADF分子方法的选择与计算 | 第30-49页 |
3.1 引言 | 第30-31页 |
3.2 理论计算方法 | 第31-33页 |
3.2.1 计算方法(泛函和基组)的选择 | 第31-33页 |
3.3 计算结果分析与讨论 | 第33-47页 |
3.3.1 基态结构优化 | 第33-35页 |
3.3.2 吸收和发射光谱计算 | 第35-37页 |
3.3.3 激发态的跃迁特性 | 第37-42页 |
3.3.4 激发态的能级分布 | 第42-47页 |
3.4 本章小结 | 第47-49页 |
第4章 影响TADF分子三单线能级差(△E_(S1T1))的因素 | 第49-63页 |
4.1 不同D-A强度的影响 | 第49-51页 |
4.2 不同取代位点的影响 | 第51-53页 |
4.3 不同取代基个数的影响 | 第53-56页 |
4.4 给受体之间不同的角度对于激发态能级的影响 | 第56-57页 |
4.5 结合HLCT态的分子设计 | 第57-61页 |
4.6 本章小结 | 第61-63页 |
第5章 结论 | 第63-65页 |
参考文献 | 第65-72页 |
在学研究成果 | 第72-73页 |
致谢 | 第73页 |