| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第12-20页 |
| 1.1 研究背景 | 第12页 |
| 1.2 BiVO_4的结构特点 | 第12-13页 |
| 1.3 Bi_2WO_6的结构特点 | 第13页 |
| 1.4 铋系氧化物薄膜制备方法研究现状 | 第13-15页 |
| 1.5 自组装薄膜技术 | 第15-17页 |
| 1.5.1 分子双电层理论 | 第15页 |
| 1.5.2 液相沉积技术 | 第15-16页 |
| 1.5.3 层层自组装技术 | 第16-17页 |
| 1.6 铋系氧化物薄膜研究进展 | 第17-19页 |
| 1.7 本课题研究的主要内容和意义 | 第19-20页 |
| 2 实验部分 | 第20-25页 |
| 2.1 实验原料及仪器 | 第20页 |
| 2.1.1 实验原料 | 第20页 |
| 2.1.2 实验仪器设备 | 第20页 |
| 2.2 薄膜制备过程 | 第20-21页 |
| 2.2.1 FTO玻璃基板表面处理 | 第20-21页 |
| 2.2.2 前驱体溶液配制 | 第21页 |
| 2.2.3 薄膜制备 | 第21页 |
| 2.3 铋系氧化物薄膜性能表征 | 第21-22页 |
| 2.3.1 X射线衍射分析 | 第21-22页 |
| 2.3.2 拉曼光谱分析 | 第22页 |
| 2.3.3 X射线光电子能谱分析 | 第22页 |
| 2.3.4 扫描电子显微镜分析 | 第22页 |
| 2.3.5 其他表征分析 | 第22页 |
| 2.4 铋系氧化物薄膜的光催化性能测试 | 第22-23页 |
| 2.5 铋系氧化物薄膜的电化学性能测试 | 第23-25页 |
| 2.5.1 表面光电流分析 | 第23-24页 |
| 2.5.2 交流阻抗分析 | 第24页 |
| 2.5.3 平带电位分析 | 第24-25页 |
| 3 静电诱导层层自组装BiVO_4薄膜制备及光电性能研究 | 第25-41页 |
| 3.1 前言 | 第25页 |
| 3.2 BiVO_4薄膜的制备 | 第25-26页 |
| 3.3 前驱液浓度对BiVO_4薄膜结构和光催化性能影响 | 第26-29页 |
| 3.3.1 不同前驱液浓度下BiVO_4薄膜的XRD分析 | 第26页 |
| 3.3.2 不同前驱液浓度下BiVO_4薄膜的SEM分析 | 第26-27页 |
| 3.3.3 不同前驱液浓度下BiVO_4薄膜的光催化性能 | 第27-29页 |
| 3.4 晶化温度对BiVO_4薄膜结构和光催化性能影响 | 第29-40页 |
| 3.4.1 不同晶化温度下BiVO_4薄膜的XRD分析 | 第29-30页 |
| 3.4.2 不同晶化温度下BiVO_4薄膜的SEM分析 | 第30-31页 |
| 3.4.3 BiVO_4薄膜的形成机理分析 | 第31-35页 |
| 3.4.4 不同晶化温度下BiVO_4薄膜的光催化性能 | 第35-36页 |
| 3.4.5 不同晶化温度制度下BiVO_4薄膜的光电流分析 | 第36-37页 |
| 3.4.6 不同晶化温度制度下BiVO_4薄膜的平带电位分析 | 第37-38页 |
| 3.4.7 不同晶化温度制度下BiVO_4薄膜的交流阻抗谱分析 | 第38-40页 |
| 3.5 本章小结 | 第40-41页 |
| 4 静电诱导层层自组装BiVO_4/TiO_2复合薄膜制备及光电性能研究 | 第41-53页 |
| 4.1 前言 | 第41页 |
| 4.2 BiVO_4/TiO_2复合薄膜的制备 | 第41-42页 |
| 4.3 BiVO_4/TiO_2复合薄膜的结构，形貌以及光电性能研究 | 第42-51页 |
| 4.3.1 BiVO_4/TiO_2复合薄膜的XRD结构分析 | 第42-43页 |
| 4.3.2 BiVO_4/TiO_2复合薄膜的SEM表面形貌分析 | 第43-44页 |
| 4.3.3 BiVO_4/TiO_2复合薄膜的电流-电压曲线分析 | 第44-45页 |
| 4.3.4 BiVO_4/TiO_2复合薄膜的电流-时间分析 | 第45-48页 |
| 4.3.5 BiVO_4/TiO_2薄膜的交流阻抗 | 第48-50页 |
| 4.3.6 BiVO_4/TiO_2复合薄膜的平带电位分析 | 第50-51页 |
| 4.4 本章小结 | 第51-53页 |
| 5 CeO_2/Ce_xBi_(2-x)WO_6异质结光电极的制备及光电化学性能研究 | 第53-68页 |
| 5.1 引言 | 第53页 |
| 5.2 CeO_2/Ce_xBi_(2-x)WO_6异质结薄膜光电极光电极制备 | 第53-54页 |
| 5.2.1 CeO_2/Ce_xBi_(2-x)WO_6异质结粉体的制备 | 第53-54页 |
| 5.2.2 CeO_2/Ce_xBi_(2-x)WO_6异质结薄膜光电极的制备 | 第54页 |
| 5.3 CeO_2/Ce_xBi_(2-x)WO_6异质结薄膜光电极的结构及光电性能等研究 | 第54-67页 |
| 5.3.1 CeO_2/Ce_xBi_(2-x)WO_6异质结薄膜光电极XRD分析 | 第54-55页 |
| 5.3.2 CeO_2/Ce_xBi_(2-x)WO_6异质结薄膜光电极SEM和TEM分析 | 第55-58页 |
| 5.3.3 CeO_2/Ce_xBi_(2-x)WO_6异质结薄膜光电极XPS分析 | 第58-60页 |
| 5.3.4 CeO_2/Ce_xBi_(2-x)WO_6异质结薄膜光电极DRS分析 | 第60页 |
| 5.3.5 CeO_2/Ce_xBi_(2-x)WO_6异质结薄膜光电极PL分析 | 第60-61页 |
| 5.3.6 CeO_2/Ce_xBi_(2-x)WO_6异质结光催化性能分析 | 第61-62页 |
| 5.3.7 CeO_2/Ce_xBi_(2-x)WO_6异质结光催化过程活性物种分析 | 第62页 |
| 5.3.8 CeO_2/Ce_xBi_(2-x)WO_6异质结薄膜光电极的表面光电流分析 | 第62-64页 |
| 5.3.9 CeO_2/Ce_xBi_(2-x)WO_6异质结薄膜光电极的电化学阻抗谱分析 | 第64-66页 |
| 5.3.10 CeO_2/Ce_xBi_(2-x)WO_6异质结催化剂的光催化机理分析 | 第66-67页 |
| 5.4 本章小结 | 第67-68页 |
| 6 Er~(3+)掺杂Bi_2WO_6薄膜光电极制备及光电性能研究 | 第68-78页 |
| 6.1 引言 | 第68页 |
| 6.2 Er~(3+)掺杂Bi_2WO_6光电极制备 | 第68-69页 |
| 6.2.1 Er~(3+)掺杂Bi_2WO_6粉体的制备 | 第68-69页 |
| 6.2.2 Er~(3+)掺杂Bi_2WO_6电极的制备 | 第69页 |
| 6.3 Er~(3+)掺杂Bi_2WO_6薄膜光电极的表征及光电性能研究 | 第69-77页 |
| 6.3.1 Er~(3+)掺杂Bi_2WO_6薄膜光电极的XRD结构表征剂形成机理 | 第69-70页 |
| 6.3.2 Er~(3+)掺杂Bi_2WO_6薄膜光电极的Raman光谱表征 | 第70-71页 |
| 6.3.3 Er~(3+)掺杂Bi_2WO_6薄膜光电极的SEM形貌表征 | 第71-72页 |
| 6.3.4 Er~(3+)掺杂Bi_2WO_6薄膜光电极的光催化性能分析 | 第72页 |
| 6.3.5 Er~(3+)掺杂Bi_2WO_6薄膜光电极的表面光电流分析 | 第72-73页 |
| 6.3.6 Er~(3+)掺杂Bi_2WO_6薄膜光电极的交流阻抗谱分析 | 第73-74页 |
| 6.3.7 Er~(3+)掺杂Bi_2WO_6薄膜光电极的平带电位分析 | 第74-75页 |
| 6.3.8 Er~(3+)掺杂Bi_2WO_6薄膜光电极的上转化及IPCE分析 | 第75-76页 |
| 6.3.9 Er~(3+)掺杂Bi_2WO_6的光催化机理 | 第76-77页 |
| 6.4 本章小结 | 第77-78页 |
| 7 工作总结与展望 | 第78-80页 |
| 7.1 主要结论 | 第78-79页 |
| 7.2 工作展望 | 第79-80页 |
| 致谢 | 第80-81页 |
| 参考文献 | 第81-88页 |
| 攻读硕士期间发表的学术论文 | 第88-90页 |
