| 中文摘要 | 第4-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-15页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 ZnO晶体结构及主要性质 | 第11-13页 |
| 1.3 ZnO材料国内外研究近况及研究意义 | 第13-14页 |
| 1.4 论文主要工作及内容安排 | 第14-15页 |
| 第二章 理论背景介绍 | 第15-23页 |
| 2.1 密度泛函理论 | 第15-20页 |
| 2.1.1 Born-Oppenheimer近似 | 第15-16页 |
| 2.1.2 哈特利-福克近似 | 第16-18页 |
| 2.1.3 Hohenberg-Kohn定理 | 第18页 |
| 2.1.4 Kohn-Sham方程 | 第18-19页 |
| 2.1.5 交换关联泛函 | 第19-20页 |
| 2.2 第一性原理计算方法 | 第20-21页 |
| 2.2.1 自洽计算 | 第20页 |
| 2.2.2 平面波基组与赝势 | 第20-21页 |
| 2.2.3 VASP软件包 | 第21页 |
| 2.3 带隙的修正：LDA-1/2 方法 | 第21-22页 |
| 2.4 本章小结 | 第22-23页 |
| 第三章 ZnOX(X=S, Se, Te)合金的电子结构及光学性质规律 | 第23-36页 |
| 3.1 理论模型和计算方法 | 第23-24页 |
| 3.1.1 理论模型 | 第23页 |
| 3.1.2 计算方法 | 第23-24页 |
| 3.2 ZnOX合金电子结构计算的结果与讨论 | 第24-31页 |
| 3.2.1 本征ZnO, Zn S, ZnSe, ZnTe的结果分析 | 第24-27页 |
| 3.2.2 ZnOX合金的晶格常数、总能及体积的变化规律 | 第27-28页 |
| 3.2.3 ZnOX(X=S, Se, Te) 合金的禁带宽度变化规律 | 第28-31页 |
| 3.3 ZnO_(1-x)S_x合金光学性质的结果与讨论 | 第31-34页 |
| 3.4 本章小结 | 第34-36页 |
| 第四章 S原子分布对纤锌矿ZnOS合金电子结构的影响 | 第36-42页 |
| 4.1 理论模型和计算方法 | 第36-37页 |
| 4.1.1 理论模型 | 第36-37页 |
| 4.1.2 计算方法 | 第37页 |
| 4.2 计算结果与讨论 | 第37-41页 |
| 4.2.1 ZnOS合金不同原子分布的带隙、价带宽度对比 | 第37-39页 |
| 4.2.2 ZnOS合金不同原子分布的分波态密度 | 第39-41页 |
| 4.2.3 不同构型下ZnOS合金的电荷密度 | 第41页 |
| 4.3 本章小结 | 第41-42页 |
| 第五章 In掺杂ZnO形成能的第一性原理研究 | 第42-48页 |
| 5.1 理论模型和计算方法 | 第42-43页 |
| 5.1.1 理论模型 | 第42-43页 |
| 5.1.2 计算方法 | 第43页 |
| 5.2 结果与讨论 | 第43-47页 |
| 5.2.1 缺陷形成能 | 第43-45页 |
| 5.2.2 In掺杂ZnO的电子结构 | 第45-47页 |
| 5.3 本章小结 | 第47-48页 |
| 第六章 总结与展望 | 第48-50页 |
| 参考 文献 | 第50-56页 |
| 附录 VASP使用简介 | 第56-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 攻读硕士期间取得的科研成果 | 第64页 |
