摘要 | 第5-7页 |
ABSTRACT | 第7-8页 |
第1章 绪论 | 第11-19页 |
1.1 TD-LTE简介 | 第11页 |
1.2 本文的研究背景和意义 | 第11-12页 |
1.3 国内外研究现状 | 第12-16页 |
1.3.1 介质谐振器天线的研究现状 | 第12-14页 |
1.3.2 多频带滤波器的研究现状 | 第14-15页 |
1.3.3 低噪声放大器的研究现状 | 第15-16页 |
1.4 本文的研究内容及章节安排 | 第16-19页 |
第2章 TD-LTE介质谐振器天线的设计 | 第19-47页 |
2.1 介质谐振器天线的基本理论 | 第19-21页 |
2.1.1 介质谐振器天线的基本结构 | 第19页 |
2.1.2 介质谐振器的工作原理 | 第19-20页 |
2.1.3 介质谐振器谐振频率的确定方法 | 第20-21页 |
2.2 TD-LTE双频双极化介质谐振器天线的设计 | 第21-34页 |
2.2.1 天线结构及初始尺寸的确定 | 第22-26页 |
2.2.2 设计参数的仿真分析 | 第26-31页 |
2.2.3 设计结果 | 第31-34页 |
2.3 TD-LTE高隔离度宽带双极化介质谐振器天线设计 | 第34-45页 |
2.3.1 天线结构及初始尺寸的确定 | 第34-39页 |
2.3.2 设计参数的仿真分析 | 第39-42页 |
2.3.3 设计结果 | 第42-45页 |
2.4 本章小结 | 第45-47页 |
第3章 TD-LTE三频带滤波器的设计 | 第47-59页 |
3.1 缺陷结构阶跃阻抗谐振器和短路支节加载谐振器的基本知识 | 第47-51页 |
3.1.1 缺陷结构阶跃阻抗谐振器的基本理论 | 第47-50页 |
3.1.2 加载短路支节线的阶梯阻抗线 | 第50-51页 |
3.2 三频带滤波器的设计 | 第51-56页 |
3.2.1 利用缺陷结构阶跃阻抗谐振器来实现第一频带和第二频带 | 第52-53页 |
3.2.2 利用加载短路支节的阶梯阻抗线来实现第三通带 | 第53-54页 |
3.2.3 TD-LTE三频带滤波器的设计与仿真 | 第54-56页 |
3.3 三频滤波器的加工和测试 | 第56-58页 |
3.4 本章小结 | 第58-59页 |
第4章 TD-LTE宽带低噪声放大器的设计 | 第59-79页 |
4.1 低噪声放大器的理论基础 | 第59-62页 |
4.2 第一级低噪声放大器的设计 | 第62-70页 |
4.2.1 晶体管的选择和直流偏置电路的设计 | 第62-64页 |
4.2.2 稳定性设计 | 第64-66页 |
4.2.3 匹配电路设计 | 第66-68页 |
4.2.4 放大电路的优化设计 | 第68-70页 |
4.3 第二级低噪声放大器的设计 | 第70-72页 |
4.4 两级低噪放级联设计 | 第72-75页 |
4.5 低噪声放大器的加工和测试 | 第75-77页 |
4.6 本章小结 | 第77-79页 |
第5章 总结和展望 | 第79-81页 |
5.1 总结 | 第79-80页 |
5.2 展望 | 第80-81页 |
参考文献 | 第81-87页 |
致谢 | 第87-89页 |
作者简介 | 第89页 |