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TD-LTE射频前端天线和滤波器及低噪放的设计

摘要第5-7页
ABSTRACT第7-8页
第1章 绪论第11-19页
    1.1 TD-LTE简介第11页
    1.2 本文的研究背景和意义第11-12页
    1.3 国内外研究现状第12-16页
        1.3.1 介质谐振器天线的研究现状第12-14页
        1.3.2 多频带滤波器的研究现状第14-15页
        1.3.3 低噪声放大器的研究现状第15-16页
    1.4 本文的研究内容及章节安排第16-19页
第2章 TD-LTE介质谐振器天线的设计第19-47页
    2.1 介质谐振器天线的基本理论第19-21页
        2.1.1 介质谐振器天线的基本结构第19页
        2.1.2 介质谐振器的工作原理第19-20页
        2.1.3 介质谐振器谐振频率的确定方法第20-21页
    2.2 TD-LTE双频双极化介质谐振器天线的设计第21-34页
        2.2.1 天线结构及初始尺寸的确定第22-26页
        2.2.2 设计参数的仿真分析第26-31页
        2.2.3 设计结果第31-34页
    2.3 TD-LTE高隔离度宽带双极化介质谐振器天线设计第34-45页
        2.3.1 天线结构及初始尺寸的确定第34-39页
        2.3.2 设计参数的仿真分析第39-42页
        2.3.3 设计结果第42-45页
    2.4 本章小结第45-47页
第3章 TD-LTE三频带滤波器的设计第47-59页
    3.1 缺陷结构阶跃阻抗谐振器和短路支节加载谐振器的基本知识第47-51页
        3.1.1 缺陷结构阶跃阻抗谐振器的基本理论第47-50页
        3.1.2 加载短路支节线的阶梯阻抗线第50-51页
    3.2 三频带滤波器的设计第51-56页
        3.2.1 利用缺陷结构阶跃阻抗谐振器来实现第一频带和第二频带第52-53页
        3.2.2 利用加载短路支节的阶梯阻抗线来实现第三通带第53-54页
        3.2.3 TD-LTE三频带滤波器的设计与仿真第54-56页
    3.3 三频滤波器的加工和测试第56-58页
    3.4 本章小结第58-59页
第4章 TD-LTE宽带低噪声放大器的设计第59-79页
    4.1 低噪声放大器的理论基础第59-62页
    4.2 第一级低噪声放大器的设计第62-70页
        4.2.1 晶体管的选择和直流偏置电路的设计第62-64页
        4.2.2 稳定性设计第64-66页
        4.2.3 匹配电路设计第66-68页
        4.2.4 放大电路的优化设计第68-70页
    4.3 第二级低噪声放大器的设计第70-72页
    4.4 两级低噪放级联设计第72-75页
    4.5 低噪声放大器的加工和测试第75-77页
    4.6 本章小结第77-79页
第5章 总结和展望第79-81页
    5.1 总结第79-80页
    5.2 展望第80-81页
参考文献第81-87页
致谢第87-89页
作者简介第89页

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