| 中文摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-27页 |
| ·引言 | 第9页 |
| ·紫外线概述 | 第9-10页 |
| ·宽禁带半导体紫外光电探测器概述 | 第10-16页 |
| ·宽禁带半导体材料 | 第10-11页 |
| ·宽禁带半导体紫外光电探测器的分类 | 第11-14页 |
| ·宽禁带半导体紫外光电探测器的性能参数 | 第14-16页 |
| ·ZnO基紫外探测器 | 第16-25页 |
| ·ZnO材料的基本性质和优势 | 第16-17页 |
| ·ZnO基紫外探测器工作原理 | 第17-18页 |
| ·ZnO基紫外探测器的研究现状 | 第18-25页 |
| ·本论文的主要工作及创新 | 第25-27页 |
| ·本论文的主要工作 | 第25页 |
| ·本论文的主要创新点 | 第25-26页 |
| ·本论文的研究意义 | 第26-27页 |
| 第二章 ZnO、ZnO/ZnS核壳结构的制备及其特性表征 | 第27-41页 |
| ·ZnO微米线的制备与特性表征 | 第27-33页 |
| ·ZnO微米线的制备 | 第27-29页 |
| ·ZnO微米线的测试与分析 | 第29-33页 |
| ·ZnS壳层的制备与特性表征 | 第33-40页 |
| ·ZnO/ZnS核壳结构的制备 | 第33-34页 |
| ·ZnO/ZnS核壳结构的测试与分析 | 第34-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 第三章 ZnO/ZnS异质结型紫外探测器 | 第41-51页 |
| ·ZnO、ZnS半导体材料与金属欧姆接触的研究 | 第41-43页 |
| ·ZnO、ZnS异质结型紫外探测器的制备 | 第43-44页 |
| ·ZnO/ZnS异质结型紫外探测器工作原理及性能测试 | 第44-49页 |
| ·ZnO/ZnS异质结型紫外探测器工作原理 | 第44-46页 |
| ·ZnO/ZnS异质结型紫外探测器性能测试 | 第46-49页 |
| ·本章小结 | 第49-51页 |
| 第四章 ZnO/ZnS FET型紫外探测器 | 第51-56页 |
| ·ZnO/ZnS FET型紫外探测器的制备 | 第51-52页 |
| ·ZnO/ZnS FET型紫外探测器工作原理及性能测试 | 第52-55页 |
| ·ZnO/ZnS FET型紫外探测器工作原理 | 第52页 |
| ·ZnO/ZnS FET型紫外探测器性能测试 | 第52-55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 第五章 总结 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-64页 |
| 在学期间的研究成果 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65页 |
