| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-12页 |
| 第1章 绪论 | 第12-44页 |
| ·聚合物基光电材料简介 | 第13-19页 |
| ·聚合物基光电材料结构特点与导电机理 | 第13-15页 |
| ·聚噻吩衍生物合成方法及基本特性 | 第15-19页 |
| ·有机薄膜光电器件 | 第19-23页 |
| ·聚合物发光二极管介绍 | 第19-21页 |
| ·聚合物太阳能电池介绍 | 第21-23页 |
| ·薄膜内高分子规整排列取向对器件性能影响 | 第23-29页 |
| ·聚合物光电薄膜的结晶性 | 第24-25页 |
| ·薄膜内高分子结晶排列取向对器件性能影响 | 第25-29页 |
| ·薄膜内高分子排列取向控制研究 | 第29-34页 |
| ·Edge-on 排列取向控制方法 | 第29-31页 |
| ·Face-on 排列取向控制方法 | 第31-32页 |
| ·End-on 排列取向控制方法 | 第32-34页 |
| ·本课题的研究目的和主要内容 | 第34-35页 |
| 参考文献 | 第35-44页 |
| 第2章 新型单侧端基氟碳链改性共轭聚合物（聚（3-丁基噻吩）- 1H, 1H, 2H, 2H, 3H,3H,-全氟十一烷）的合成 | 第44-73页 |
| ·单体合成和结构表征 | 第45-49页 |
| ·原料和仪器 | 第45-46页 |
| ·聚合物单体合成步骤 | 第46-48页 |
| ·结果与讨论 | 第48-49页 |
| ·P3BT-F 的合成和结构表征 | 第49-59页 |
| ·原料和仪器 | 第49-50页 |
| ·合成步骤 | 第50-53页 |
| ·结果与讨论 | 第53-59页 |
| ·P3BT-F 的本征结构与性质 | 第59-68页 |
| ·P3BT-F 粉末的热稳定性 | 第60-62页 |
| ·P3BT-F 溶液的表面能 | 第62-64页 |
| ·P3BT-F 溶液的紫外可见光吸收光谱 | 第64-65页 |
| ·P3BT-F 的能级结构 | 第65-66页 |
| ·P3BT-F 粉末态晶体结构 | 第66-68页 |
| ·本章小结 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-73页 |
| 第3章 氟碳链诱导 P3BT-F 高分子链 end-on 排列取向 | 第73-113页 |
| ·P3BT-F/PS 共混薄膜制备及其偏析能力研究 | 第74-87页 |
| ·P3BT-F/PS 共混薄膜的制备 | 第74页 |
| ·P3BT-F/PS 共混薄膜表面的氟碳元素比 | 第74-78页 |
| ·模型估算 P3BT-F/PS 共混薄膜表面氟碳链覆盖度 | 第78-82页 |
| ·P3BT-F/PS 共混薄膜内部氟碳链分布情况 | 第82-87页 |
| ·P3BT-F/PS 共混薄膜 end-on 排列取向表征 | 第87-97页 |
| ·共混薄膜内部晶体结构表征方法 | 第87-90页 |
| ·共混薄膜内部结构表征结果 | 第90-94页 |
| ·旋转涂膜工艺对高分子链排列取向规整性的影响 | 第94-97页 |
| ·聚合物分子量，末端氟碳链长度，以及聚合物侧链长度对形成 end-on 排列取向的影响 | 第97-104页 |
| ·不同聚合度 P3BT-F 的合成，聚合度对 end-on 排列取向的影响 | 第97-100页 |
| ·P3HT-F 的合成，侧链对 end-on 排列取向的影响 | 第100-102页 |
| ·P3BT-F13的合成，氟碳链长度对 end-on 排列取向的影响 | 第102-104页 |
| ·End-on 排列取向的光学性质 | 第104-108页 |
| ·本章小结 | 第108页 |
| 参考文献 | 第108-113页 |
| 第4章 End-on 排列取向在 P3BT-F/P3AT 薄膜内的传递 | 第113-138页 |
| ·P3BT-F/P3BT 共混薄膜制备及其偏析能力验证 | 第113-119页 |
| ·P3BT-F/P3BT 共混薄膜的制备 | 第114页 |
| ·共混薄膜表面氟碳链偏析情况分析 | 第114-117页 |
| ·P3BT-F/PS 共混薄膜内部氟碳链分布情况 | 第117-119页 |
| ·薄膜晶区内的 end-on 排列取向研究 | 第119-130页 |
| ·共混薄膜内 end-on 排列取向的表征 | 第119-125页 |
| ·混合溶液配比的影响 | 第125-126页 |
| ·后处理工艺的影响 | 第126-127页 |
| ·基板选择及表面修饰的影响 | 第127-130页 |
| ·End-on 排列取向在薄膜内的传递过程研究 | 第130-135页 |
| ·本章小结 | 第135页 |
| 参考文献 | 第135-138页 |
| 第5章 P3BT-S SAMs 对界面处高分子链排列取向的影响 | 第138-176页 |
| ·P3BT-S 的合成和结构表征 | 第139-145页 |
| ·原料和仪器 | 第139-140页 |
| ·合成步骤 | 第140-142页 |
| ·结果与讨论 | 第142-145页 |
| ·P3BT-S SAMs 的制备与表征 | 第145-155页 |
| ·P3BT-S SAMs 的制备 | 第146-147页 |
| ·P3BT-S SAMs 的 XPS 表征 | 第147-150页 |
| ·P3BT-S SAMs 的 QCM 表征 | 第150-152页 |
| ·P3BT-S SAMs 的 SE 表征 | 第152-153页 |
| ·P3BT-S SAMs 的 XRR 表征 | 第153-154页 |
| ·P3BT-S SAMs 的 AFM 表征 | 第154-155页 |
| ·基板/聚合物界面处 end-on 排列取向研究 | 第155-162页 |
| ·P3BT-S SAMs 对界面处高分子链排列取向影响 | 第155-158页 |
| ·实现贯穿全膜的 end-on 排列取向 | 第158-162页 |
| ·End-on 排列取向的电学性质 | 第162-171页 |
| ·本章小结 | 第171页 |
| 参考文献 | 第171-176页 |
| 结论 | 第176-178页 |
| 攻读学位期间发表论文与研究成果清单 | 第178-179页 |
| 致谢 | 第179页 |
