摘要 | 第1-6页 |
Abstract | 第6-11页 |
第1章 绪论 | 第11-25页 |
·课题背景 | 第11-12页 |
·TaC 的物理化学性质及应用 | 第12-14页 |
·金属钽(Ta)的性质 | 第12-13页 |
·TaC 的性质 | 第13页 |
·TaC 的应用领域 | 第13-14页 |
·制备TaC 陶瓷材料的基本方法 | 第14-17页 |
·热压法 | 第14页 |
·热等静压法 | 第14-15页 |
·常压固相烧结法 | 第15页 |
·强化烧结法 | 第15-16页 |
·SPS(放电等离子烧结)烧结 | 第16-17页 |
·TaC 的研究现状 | 第17-20页 |
·超高温材料 | 第20-24页 |
·难熔金属 | 第20-21页 |
·抗氧化金属间化合物 | 第21-22页 |
·SiC 基复合材料 | 第22页 |
·C/C 复合材料 | 第22页 |
·超高温陶瓷材料抗氧化研究 | 第22-24页 |
·本文研究意义及内容 | 第24-25页 |
·研究意义 | 第24页 |
·主要研究内容 | 第24-25页 |
第2章 材料的制备和实验方法 | 第25-31页 |
·实验原料 | 第25页 |
·TaC 陶瓷成分选择与制备工艺 | 第25-28页 |
·成分及温度选择 | 第25页 |
·化学组成 | 第25-26页 |
·原料混合 | 第26-27页 |
·烧结工艺 | 第27-28页 |
·性能测试方法 | 第28-30页 |
·体积密度 | 第28页 |
·维氏硬度 | 第28-29页 |
·抗弯强度 | 第29页 |
·断裂韧性 | 第29-30页 |
·抗热震性 | 第30页 |
·材料微观组织结构分析 | 第30-31页 |
·XRD 分析 | 第30页 |
·扫描电镜(SEM)观察 | 第30页 |
·透射电镜(TEM)观察 | 第30-31页 |
第3章 烧结温度TaC 基陶瓷组织及其性能的影响 | 第31-41页 |
·不同烧结温度对TaC 陶瓷致密化的影响 | 第31-37页 |
·材料的致密化过程 | 第31-33页 |
·不同烧结温度对TaC 陶瓷的物相组成的影响 | 第33-34页 |
·不同烧结温度对TaC 陶瓷组织的影响 | 第34-37页 |
·不同烧结温度对TaC 陶瓷力学性能的影响 | 第37-40页 |
·不同烧结温度对TaC 陶瓷断口形貌的影响 | 第37-38页 |
·不同烧结温度对TaC 陶瓷力学性能的影响 | 第38-40页 |
·本章小结 | 第40-41页 |
第4章 ZrC 含量对TaC 基陶瓷性能的影响 | 第41-57页 |
·不同ZrC 含量TaC 基陶瓷的物相组成 | 第41-43页 |
·不同ZrC 含量对TaC 基陶瓷致密化的影响 | 第43页 |
·不同ZrC 含量对TaC 基陶瓷组织的影响 | 第43-45页 |
·不同ZrC 含量对TaC 基陶瓷力学性能的影响 | 第45-51页 |
·不同ZrC 含量对TaC 基陶瓷维氏硬度的影响 | 第46-47页 |
·不同ZrC 含量对TaC 基陶瓷抗弯强度的影响 | 第47-49页 |
·不同ZrC 含量对TaC 基陶瓷断裂韧性的影响 | 第49-51页 |
·不同ZrC 含量TaC 基陶瓷抗热震性能 | 第51-55页 |
·不同热震温差下TaC 基陶瓷的物相组成 | 第51-52页 |
·不同热震温差下TaC 基陶瓷的残余抗弯强度 | 第52-53页 |
·不同热震温差下TaC 基陶瓷的表面形貌 | 第53-54页 |
·不同热震温差下TaC 基陶瓷的断口形貌 | 第54-55页 |
·本章小结 | 第55-57页 |
第5章 不同Ta/C 比对TaC 基陶瓷性能的影响 | 第57-72页 |
·不同Ta/C 比对TaC 基陶瓷物相的影响 | 第57-58页 |
·不同Ta/C 比对TaC 基陶瓷微观组织的影响 | 第58-62页 |
·不同Ta/C 比对TaC 陶瓷力学性能的影响 | 第62-66页 |
·不同Ta/C 比对TaC 基陶瓷维氏硬度的影响 | 第62-63页 |
·不同Ta/C 比对TaC 基陶瓷抗弯强度的影响 | 第63-64页 |
·不同Ta/C 比对TaC 基陶瓷断裂韧性的影响 | 第64-66页 |
·不同Ta/C 比TaC 基陶瓷抗热震性能 | 第66-70页 |
·不同热震温差下TaC 基陶瓷的物相组成 | 第66-67页 |
·不同热震温差下TaC 基陶瓷的残余抗弯强度 | 第67-68页 |
·不同热震温差下TaC 基陶瓷的表面形貌 | 第68-69页 |
·不同热震温差下TaC 基陶瓷的断口形貌 | 第69-70页 |
·本章小结 | 第70-72页 |
结论 | 第72-74页 |
参考文献 | 第74-79页 |
致谢 | 第79页 |