首页--工业技术论文--一般工业技术论文--工程材料学论文--特种结构材料论文

硅纳米线复合阵列结构的制备与光催化性能研究

摘要第1-5页
Abstract第5-9页
第1章 绪论第9-24页
   ·引言第9页
   ·硅纳米线的制备方法第9-12页
     ·金属催化化学腐蚀法第10页
     ·气-液-固法第10-11页
     ·固-液-固法第11页
     ·氧化物辅助生长法第11页
     ·有机溶液生长法第11-12页
     ·其他方法第12页
   ·硅纳米线的性能研究第12-15页
     ·硅纳米线的光学性能第12-13页
     ·硅纳米线的电学性能第13-14页
     ·硅纳米线的热传导性能第14页
     ·硅纳米线的磁学性能第14页
     ·硅纳米线的光催化性能第14-15页
   ·硅纳米线复合结构的制备方法第15-16页
     ·一步合成法第15页
     ·二步合成法第15-16页
   ·硅纳米线复合结构的应用研究第16-22页
     ·场效应晶体管第17页
     ·场发射第17-18页
     ·太阳能电池第18页
     ·锂离子电池负极材料第18-19页
     ·生物和化学传感器第19-20页
     ·热电材料第20-21页
     ·光催化第21-22页
   ·论文的选题以及主要内容第22-24页
第2章 硅纳米线阵列的制备与表征第24-28页
   ·引言第24页
   ·硅纳米线阵列的制备第24-26页
     ·样品的制备第24-25页
     ·样品的表征与结果分析第25-26页
   ·小结第26-28页
第3章 Bi_2Si0_5/Si 纳米线复合阵列结构的制备、表征与光催化性能研究第28-36页
   ·引言第28-29页
   ·Bi_2Si0_5/Si 纳米线复合阵列结构的制备第29-32页
     ·样品的制备第29页
     ·样品的表征与结果分析第29-32页
   ·Bi_2Si0_5/Si 纳米线复合阵列结构的光催化性能研究第32-35页
     ·光催化性能第32-34页
     ·光催化机理第34-35页
   ·小结第35-36页
第4章 Cu_20/Si 纳米线复合阵列结构的制备、表征与光催化性能研究第36-45页
   ·引言第36-37页
   ·Cu_20/Si 纳米线复合阵列结构的制备第37-42页
     ·样品的制备第37-38页
     ·样品的表征与结果分析第38-42页
   ·Cu_20/Si 纳米线复合阵列结构的光催化性能研究第42-44页
     ·光催化性能第42-43页
     ·光催化机理第43-44页
   ·小结第44-45页
第5章 总结与展望第45-47页
   ·总结第45-46页
   ·展望第46-47页
参考文献第47-55页
致谢第55-56页
攻读硕士学位期间发表的论文第56页

论文共56页,点击 下载论文
上一篇:碳纳米管扭曲的力学性能与振荡管的热稳定性模拟研究
下一篇:氧化镍—硅复合纳米线阵列的制备与性能研究