| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-11页 |
| 第一章 超导体的发展及简介 | 第11-24页 |
| 1．1 超导体的发展 | 第11-16页 |
| 1．2 超导体的两大基本现象 | 第16-17页 |
| 1．3 超导体的同位素效应 | 第17页 |
| 1．4 超导体的分类 | 第17-20页 |
| 1．5 参考文献 | 第20-24页 |
| 第二章 MgB_2超导体简介 | 第24-35页 |
| 2．1 MgB_2超导体的结构 | 第25-26页 |
| 2．2 MgB_2超导体的临界电流密度 | 第26页 |
| 2．3 MgB_2超导体的临界磁场 | 第26-27页 |
| 2．4 MgB_2超导体的同位素效应 | 第27页 |
| 2．5 高压条件对MgB_2超导体的影响 | 第27-28页 |
| 2．6 MgB_2样品超导机理的实验探索 | 第28-29页 |
| 2．7 MgB_2超导体的应用前景 | 第29-31页 |
| 2．8 参考文献 | 第31-35页 |
| 第三章 压埋法制备MgB_2超导体 | 第35-42页 |
| 3．1 MgB_2超导体的常见制备方法介绍 | 第35-36页 |
| 3．2 压埋法制备MgB_2超导体 | 第36-38页 |
| 3．2．1 实验仪器 | 第36-37页 |
| 3．2．2 实验药品 | 第37页 |
| 3．2．3 实验方法 | 第37-38页 |
| 3．3 样品测量 | 第38页 |
| 3．4 MgB_2样品的粉末衍射分析 | 第38-39页 |
| 3．5 MgB_2样品的电阻随温度变化关系及讨论 | 第39-40页 |
| 3．6 小结 | 第40-41页 |
| 3．7 参考文献 | 第41-42页 |
| 第四章 压埋法制备MgB_2超导体的工艺研究 | 第42-52页 |
| 4．1 烧结温度对MgB_2超导性能的影响 | 第43-46页 |
| 4．2 保温时间对MgB_2超导体临界温度的影响 | 第46-49页 |
| 4．3 MgB_2超导体的剩余电阻率与临界温度的关系 | 第49-50页 |
| 4．4 小结 | 第50-51页 |
| 4．5 参考文献 | 第51-52页 |
| 第五章 MgB_2超导体的In掺杂研究 | 第52-66页 |
| 5．1 Mg_(1-x)In_xB_2样品的制备与测量 | 第53页 |
| 5．2 Mg_(1-x)In_xB_2样品的衍射分析 | 第53-55页 |
| 5．3 Mg_(1-x)In_xB_2样品的关系分析 | 第55-57页 |
| 5．4 Mg_(1-x)In_xB_2样品的-关系分析 | 第57-63页 |
| 5．5 Mg_(1-x)In_xB_2样品的相干长度 | 第63-64页 |
| 5．6 参考文献 | 第64-66页 |
| 第六章 结论与展望 | 第66-69页 |
| 6．1 结论 | 第66-68页 |
| 6．2 展望 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第70页 |
