| 中文摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 第1章 绪论 | 第11-24页 |
| ·有机晶体管存储器概述 | 第11-19页 |
| ·有机晶体管存储器的背景介绍 | 第11-12页 |
| ·有机晶体管存储器的工作原理和模式 | 第12-16页 |
| ·金属纳米颗粒悬浮栅有机晶体管存储器的优势与挑战 | 第16-19页 |
| ·金属纳米颗粒悬浮栅有机晶体管存储器的制作方法 | 第19-22页 |
| ·金属纳米颗粒的制备方法 | 第19-20页 |
| ·隧穿绝缘层的制备方法 | 第20-22页 |
| ·有机半导体薄膜的制备方法 | 第22页 |
| ·电极的制备方法 | 第22页 |
| ·有机晶体管存储器的应用领域 | 第22-23页 |
| ·本论文的研究意义和主要工作 | 第23-24页 |
| ·研究意义 | 第23页 |
| ·主要工作 | 第23-24页 |
| 第2章 实验原理与实验细节 | 第24-33页 |
| ·实验设备介绍 | 第24-28页 |
| ·真空有机蒸发仪 | 第24-25页 |
| ·真空溅射镀膜仪 | 第25页 |
| ·低温探针台和半导体特性分析仪集成系统 | 第25-26页 |
| ·固定角光谱椭偏仪 | 第26页 |
| ·原子力显微镜（AFM） | 第26-27页 |
| ·高分辨透射电子显微镜（TEM） | 第27-28页 |
| ·实验中用到的材料 | 第28-29页 |
| ·金属纳米颗粒悬浮栅有机晶体管存储器件的制备流程 | 第29-30页 |
| ·硅基片的切割与清洗 | 第29页 |
| ·金纳米颗粒薄膜沉积 | 第29页 |
| ·绝缘聚合物溶液的制配以及旋涂薄膜 | 第29-30页 |
| ·蒸镀有机半导体薄膜与金属电极 | 第30页 |
| ·有机晶体管存储器基本电学性能 | 第30页 |
| ·金属纳米颗粒厚度对有机晶体管存储器件性能的影响 | 第30-32页 |
| ·本章总结 | 第32-33页 |
| 第3章 控制隧穿绝缘层形貌制备高性能器件 | 第33-46页 |
| ·隧穿绝缘层薄膜质量对器件性能的重要性 | 第33页 |
| ·隧穿绝缘层薄膜形貌对器件性能的影响 | 第33-40页 |
| ·实验的设计与操作流程 | 第33-34页 |
| ·编程转移特性曲线 | 第34-35页 |
| ·并五苯薄膜迁移率的统计曲线 | 第35页 |
| ·器件的保持特性曲线 | 第35-36页 |
| ·机理解释与物理模型建立 | 第36-37页 |
| ·有机半导体薄膜和隧穿绝缘层薄膜的表征 | 第37-38页 |
| ·金纳米颗粒在退火过程中的变化 | 第38-39页 |
| ·小结 | 第39-40页 |
| ·隧穿绝缘层厚度对器件性能的影响 | 第40-43页 |
| ·实验的设计与操作流程 | 第40页 |
| ·编程转移特性曲线 | 第40-41页 |
| ·并五苯薄膜迁移率的统计曲线 | 第41-42页 |
| ·器件的保持特性曲线 | 第42页 |
| ·机理解释与物理模型建立 | 第42-43页 |
| ·小结 | 第43页 |
| ·控制隧穿绝缘层的形貌以及厚度来实现的高性能晶体管存储器 | 第43-45页 |
| ·本章总结 | 第45-46页 |
| 第4章 有机晶体管存储器的空气稳定性研究 | 第46-59页 |
| ·研究背景以及工作意义 | 第46页 |
| ·有机半导体薄膜的空气稳定性 | 第46-50页 |
| ·氧气对并五苯薄膜场效应的影响 | 第47-49页 |
| ·水气对并五苯薄膜场效应的影响 | 第49-50页 |
| ·有机晶体管存储器在空气中工作后性能的失效 | 第50-52页 |
| ·有机晶体管存储器在水气中的工作表现 | 第52页 |
| ·有机晶体管存储器在氧气中的工作表现 | 第52-53页 |
| ·实现现象的物理机制解释 | 第53-58页 |
| ·本章总结 | 第58-59页 |
| 第5章 结论与总结 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-67页 |
| 攻读学位期间本人出版或公开发表的论著、论文 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |