碳纳米管互连结构的实现以及大容量电容的构建
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-19页 |
| ·碳纳米管结构、性质及电子领域的应用 | 第9-11页 |
| ·集成电路互连 | 第11-15页 |
| ·目前集成电路互连面临的问题 | 第11-13页 |
| ·新型集成互连技术 | 第13页 |
| ·碳纳米管互连研究现状 | 第13-15页 |
| ·大容量电容器 | 第15-18页 |
| ·目前常规电容器面临的问题 | 第15-16页 |
| ·大容量电容器的种类 | 第16-17页 |
| ·基于碳纳米管电容器的研究现状 | 第17-18页 |
| ·本文主要的研究内容 | 第18-19页 |
| 第二章 碳纳米管通孔结构的形成与集成工艺优化 | 第19-48页 |
| ·本文的实验设计 | 第19-22页 |
| ·本文的表征手段 | 第22-26页 |
| ·光学显微镜 | 第22-23页 |
| ·台阶仪 | 第23页 |
| ·四探针测试仪 | 第23-24页 |
| ·原子力显微镜 | 第24-25页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第25页 |
| ·半导体参数分析仪 | 第25-26页 |
| ·光刻工艺 | 第26-32页 |
| ·掩膜版的设计 | 第26-29页 |
| ·光刻胶旋凃 | 第29-31页 |
| ·曝光 | 第31-32页 |
| ·显影 | 第32页 |
| ·底电极的制备 | 第32-34页 |
| ·通孔 CNT 的制备 | 第34-42页 |
| ·SiO_2介质层的沉积 | 第35-36页 |
| ·通孔的刻蚀 | 第36-38页 |
| ·通孔中 CNT 的生长 | 第38-42页 |
| ·碳纳米管的 CMP | 第42-44页 |
| ·碳纳米管通孔的金属互补填充 | 第44-45页 |
| ·顶电极的制备 | 第45-48页 |
| 第三章 碳纳米管的化学机械抛光与金属互补填充 | 第48-56页 |
| ·碳纳米管化学机械抛光的研究 | 第48-52页 |
| ·抛光液参数对 CNT-CMP 的影响 | 第48-50页 |
| ·设备参数对 CNT-CMP 的影响 | 第50-52页 |
| ·碳纳米管通孔金属互补填充的研究 | 第52-56页 |
| ·通孔金属互补填充 | 第52-53页 |
| ·金属互补填充后抛光 | 第53-56页 |
| 第四章 碳纳米管互连结构及电容结构的电性能分析 | 第56-64页 |
| ·碳纳米管互连结构的电性能分析 | 第56-61页 |
| ·碳纳米管电容结构的电性能分析 | 第61-64页 |
| 第五章 结论 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-71页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第71-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
