| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 专用术语注释表 | 第9-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-17页 |
| ·引言 | 第10-11页 |
| ·类石墨烯二硫化钼的制备 | 第11-14页 |
| ·微机械力剥离法 | 第12页 |
| ·锂离子插层法 | 第12页 |
| ·液相超声法 | 第12-13页 |
| ·其它方法 | 第13-14页 |
| ·类石墨烯二硫化钼的表征和光物理性质 | 第14-17页 |
| ·结构表征 | 第14-15页 |
| ·光物理性质 | 第15-17页 |
| 第二章 相关背景知识介绍 | 第17-23页 |
| ·二次电池 | 第17-18页 |
| ·场效应晶体管 | 第18-19页 |
| ·传感器 | 第19-20页 |
| ·有机发光二极管和存储器件 | 第20-21页 |
| ·本文的设计思路及创新点 | 第21-23页 |
| 第三章 类石墨烯二硫化钼的制备及其光物理性质研究 | 第23-33页 |
| ·概述 | 第23-24页 |
| ·实验部分 | 第24-28页 |
| ·主要试剂和药品 | 第24页 |
| ·实验仪器和方法 | 第24页 |
| ·不同氢氧化钠含量的类石墨烯二硫化钼的制备 | 第24-26页 |
| ·不同超声功率的类石墨烯二硫化钼的制备 | 第26-27页 |
| ·不同超声时间的类石墨烯二硫化钼的制备 | 第27-28页 |
| ·结果与讨论 | 第28-32页 |
| ·合成和表征 | 第28页 |
| ·类石墨烯二硫化钼的 SEM 表征 | 第28-29页 |
| ·类石墨烯二硫化钼的 TEM 表征 | 第29页 |
| ·类石墨烯二硫化钼的 AFM 表征 | 第29-30页 |
| ·类石墨烯二硫化钼的 Raman 表征 | 第30-31页 |
| ·类石墨烯二硫化钼的光物理性质 | 第31-32页 |
| ·本章小结 | 第32-33页 |
| 第四章 类石墨烯二硫化钼在 OLED 器件上的应用研究 | 第33-48页 |
| ·概述 | 第33页 |
| ·实验部分 | 第33-39页 |
| ·主要试剂和药品 | 第33-34页 |
| ·有机发光二极管的制备 | 第34-35页 |
| ·器件性能的测量 | 第35页 |
| ·类石墨烯二硫化钼在器件阳极界面的修饰 | 第35-37页 |
| ·类石墨烯二硫化钼的厚度对器件性能的影响 | 第37-39页 |
| ·结果与讨论 | 第39-47页 |
| ·器件的制作和表征 | 第39-43页 |
| ·器件的性能 | 第43-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 第五章 类石墨烯二硫化钼在 Memory 器件上的应用研究 | 第48-69页 |
| ·概述 | 第48页 |
| ·实验部分 | 第48-53页 |
| ·主要试剂和药品 | 第48-49页 |
| ·有机存储器件的制备 | 第49页 |
| ·器件性能的测量 | 第49-50页 |
| ·类石墨烯二硫化钼作为活性层的存储器件的制备 | 第50页 |
| ·类石墨烯二硫化钼和C60复合物作为活性层的存储器件的制备 | 第50-51页 |
| ·类石墨烯二硫化钼和PC61BM复合物作为活性层的存储器件的制备 | 第51页 |
| ·类石墨烯二硫化钼和 PTCDA 复合物作为活性层的存储器件的制备 | 第51-52页 |
| ·类石墨烯二硫化钼和 BTD 复合物作为活性层的存储器件的制备 | 第52-53页 |
| ·结果与讨论 | 第53-67页 |
| ·器件的制作和表征 | 第53-55页 |
| ·器件的性能 | 第55-67页 |
| ·本章小结 | 第67-69页 |
| 第六章 总结与展望 | 第69-72页 |
| ·类石墨烯二硫化钼的制备及其光物理性质研究 | 第69-70页 |
| ·类石墨烯二硫化钼在 OLED 器件上的应用研究 | 第70页 |
| ·类石墨烯二硫化钼在 Memory 器件上的应用研究 | 第70-72页 |
| 参考文献 | 第72-78页 |
| 附录 攻读硕士学位期间撰写的论文 | 第78-79页 |
| 致谢 | 第79页 |
