| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-16页 |
| ·研究背景与意义 | 第11-12页 |
| ·阵列天线 RCS 的研究现状 | 第12-15页 |
| ·本文主要研究内容 | 第15-16页 |
| 第二章 天线RCS 的 TSFD-FEM 方法分析 | 第16-34页 |
| ·引言 | 第16页 |
| ·TSFD-FEM 方法基本原理 | 第16-24页 |
| ·TSFD-FEM 泛函公式 | 第16-18页 |
| ·区域离散 | 第18页 |
| ·插值基函数的选取 | 第18-19页 |
| ·连接边界的耦合处理 | 第19-20页 |
| ·入射平面电磁波 | 第20-21页 |
| ·体激励方法强加入射波 | 第21-22页 |
| ·方程组的建立 | 第22-24页 |
| ·典型目标 RCS 计算 | 第24-27页 |
| ·介质涂覆立方体 | 第24-25页 |
| ·底面接地介质平板 | 第25-26页 |
| ·矩形贴片微带天线 | 第26-27页 |
| ·天线通道模拟 | 第27-32页 |
| ·天线阻抗加载基本原理 | 第28-29页 |
| ·阻抗加载的微带天线散射特性分析 | 第29-32页 |
| ·本章小结 | 第32-34页 |
| 第三章 阵列天线RCS 的 PSED/FEM 方法分析 | 第34-46页 |
| ·引言 | 第34页 |
| ·PSED/FEM 方法基本原理 | 第34-36页 |
| ·周期边界条件基本理论 | 第36-38页 |
| ·一维阵列目标 RCS 计算 | 第38-45页 |
| ·阵列金属立方体 | 第38-40页 |
| ·阵列金属平板 | 第40-42页 |
| ·阵列介质平板 | 第42-44页 |
| ·阵列矩形贴片微带天线 | 第44-45页 |
| ·本章小结 | 第45-46页 |
| 第四章 PSED/FEM 方法精度分析 | 第46-52页 |
| ·引言 | 第46页 |
| ·基本原理 | 第46页 |
| ·总场、散射场基函数精度分析 | 第46-51页 |
| ·背景噪声 | 第46-47页 |
| ·金属目标 | 第47-49页 |
| ·介质目标 | 第49-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 第五章 OPENMP 并行技术 | 第52-63页 |
| ·引言 | 第52页 |
| ·OPENMP 并行技术基本原理 | 第52-55页 |
| ·共享存储模型 | 第52-53页 |
| ·循环的并行化 | 第53-55页 |
| ·TSFD-FEM 并行加速 | 第55-59页 |
| ·算法流程分析 | 第55-57页 |
| ·数值算例结果 | 第57-59页 |
| ·SED-MOM 并行加速 | 第59-62页 |
| ·算法流程分析 | 第59-61页 |
| ·数值算例结果 | 第61-62页 |
| ·本章小结 | 第62-63页 |
| 第六章 结论 | 第63-65页 |
| ·总结 | 第63页 |
| ·展望 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 在学期间的研究成果及发表学术论文 | 第70页 |