| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-11页 |
| ·引言 | 第8-9页 |
| ·本论文的主要内容 | 第9-11页 |
| 第二章 中红外波段GASB基半导体激光器 | 第11-20页 |
| ·半导体激光器概述 | 第11-12页 |
| ·中红外波段GASB基半导体激光器 | 第12-17页 |
| ·GASB基半导体激光器特性及发展现状 | 第12-17页 |
| ·锑化物激光器目前存在的问题 | 第17页 |
| ·几种GASB基边发射半导体激光器的台面结构 | 第17-19页 |
| ·本章小结 | 第19-20页 |
| 第三章 GASB基半导体激光器刻蚀工艺 | 第20-33页 |
| ·刻蚀工艺简介 | 第20页 |
| ·刻蚀工艺参数 | 第20-24页 |
| ·刻蚀速率 | 第20-21页 |
| ·刻蚀剖面 | 第21页 |
| ·各向异性度 | 第21-22页 |
| ·刻蚀偏差 | 第22页 |
| ·选择比 | 第22-23页 |
| ·均匀性 | 第23页 |
| ·残留物和聚合物 | 第23-24页 |
| ·GASB基化合物材料干法刻蚀工艺概述 | 第24-28页 |
| ·干法刻蚀工作机理 | 第24-25页 |
| ·几种主要的干法刻蚀技术 | 第25-27页 |
| ·GASB基化合物材料干法刻蚀的发展 | 第27-28页 |
| ·湿法刻蚀 | 第28-32页 |
| ·湿法刻蚀反应机理 | 第29-30页 |
| ·发展现状 | 第30-31页 |
| ·掩蔽膜的选择 | 第31-32页 |
| ·本章小结 | 第32-33页 |
| 第四章 GASB基半导体激光器器件的湿法刻蚀工艺研究 | 第33-41页 |
| ·实验方案 | 第33-34页 |
| ·光刻部分 | 第33页 |
| ·不同成分腐蚀液对GASB晶片刻蚀效果的影响 | 第33-34页 |
| ·有机酸浓度对刻蚀效果的影响 | 第34页 |
| ·温度对刻蚀效果的影响 | 第34页 |
| ·实验结果分析及讨论 | 第34-39页 |
| ·盐酸系腐蚀液腐蚀效果分析 | 第35-36页 |
| ·磷酸系腐蚀液腐蚀效果分析 | 第36-39页 |
| ·温度因素对刻蚀效果的影响效果分析 | 第39页 |
| ·本章小结 | 第39-41页 |
| 第五章 锑化物材料的化学机械抛光实验研究 | 第41-53页 |
| ·研究意义 | 第41-42页 |
| ·化学机械抛光工作机制 | 第42-44页 |
| ·化学反应过程 | 第42-43页 |
| ·溶解过程 | 第43页 |
| ·机械过程 | 第43页 |
| ·抛光后处理 | 第43-44页 |
| ·CMP主要技术指标 | 第44-46页 |
| ·表面粗糙度 | 第45-46页 |
| ·金属沾污 | 第46页 |
| ·表面颗粒 | 第46页 |
| ·抛光液的选取 | 第46页 |
| ·实验方案 | 第46-48页 |
| ·实验结果及讨论 | 第48-52页 |
| ·抛光压力对抛光效果的影响 | 第48-50页 |
| ·不同抛光方法与不同抛光液的综合对比试验 | 第50-52页 |
| ·表面活性剂对CMP效果的影响 | 第52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 第六章 结论与展望 | 第53-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-58页 |