| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-8页 |
| 第一章 引言 | 第8-16页 |
| ·半导体产业介绍 | 第8-10页 |
| ·现今集成电路制造工艺概述 | 第10-12页 |
| ·课题选题背景和意义 | 第12-14页 |
| ·课题的实施方案和目的 | 第14-15页 |
| ·论文的主要内容 | 第15-16页 |
| 第二章 90nm存储器件中掺杂硅层的工艺流程介绍 | 第16-25页 |
| ·氮化物只读存储器的概述 | 第16-17页 |
| ·90nm氮化物只读存储器中的炉管工艺介绍 | 第17-20页 |
| ·掺杂硅型炉管介绍 | 第20-22页 |
| ·炉管的工艺中产品缺陷的产生及减少 | 第22-25页 |
| 第三章 DOE在半导体制造中的应用 | 第25-33页 |
| ·DOE的引入和内容 | 第25页 |
| ·对DOE的要求 | 第25-26页 |
| ·DOE的计划 | 第26-32页 |
| ·DOE的评估 | 第32-33页 |
| 第四章 氮化物只读存储器件字线工艺中掺杂硅层缺陷的解决 | 第33-56页 |
| ·掺杂多晶硅层鼓包(Bump defect) 缺陷的分析和实验 | 第34-42页 |
| ·掺杂多晶硅层鼓包(Bump defect) 缺陷的解决方案小结 | 第42-43页 |
| ·掺杂多晶硅层表面片状(Slice defect) 缺陷的分析和实验 | 第43-48页 |
| ·掺杂多晶硅层表面片状(Slice defect) 缺陷的解决方案小结 | 第48页 |
| ·掺杂多晶硅层表面块状(Surface defect) 缺陷的分析和实验 | 第48-52页 |
| ·掺杂多晶硅层表面块状(Surface defect) 缺陷的解决方案小结 | 第52页 |
| ·掺杂多晶硅层三种缺陷的最优化解决方案和产线检验 | 第52-56页 |
| 第五章 结束语 | 第56-58页 |
| ·课题结论与创新点 | 第56-57页 |
| ·后续研究工作 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 攻读硕士学位期间已发表或录用的论文 | 第61-64页 |
| 附件 | 第64页 |
