反应烧结碳化硅基底致密层制备及性能研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-15页 |
| 第1章 绪论 | 第15-35页 |
| ·课题背景及意义 | 第15-16页 |
| ·致密层的制备方法 | 第16-27页 |
| ·物理方法 | 第18-23页 |
| ·化学方法 | 第23-27页 |
| ·薄膜的成形过程 | 第27-31页 |
| ·原子吸附 | 第27-30页 |
| ·薄膜成核 | 第30-31页 |
| ·薄膜生长 | 第31页 |
| ·薄膜沉积模拟研究进展 | 第31-34页 |
| ·蒙特-卡罗法 | 第31-33页 |
| ·有限元法 | 第33页 |
| ·分子动力学 | 第33页 |
| ·第一原理法 | 第33-34页 |
| ·本文主要研究内容 | 第34-35页 |
| 第2章 材料制备及实验方法 | 第35-45页 |
| ·衬底的制备 | 第35页 |
| ·致密层的制备 | 第35-38页 |
| ·磁控溅射法制备硅致密层 | 第35页 |
| ·电子束物理气相沉积法制备硅致密层 | 第35-36页 |
| ·化学气相沉积法制备碳化硅致密层 | 第36-37页 |
| ·离子束增强化学气相沉积法制备硅致密层 | 第37-38页 |
| ·致密层性能表征 | 第38-45页 |
| ·膜-基结合强度测试 | 第38-39页 |
| ·致密层孔隙率测定 | 第39-40页 |
| ·致密层厚度均匀性表征 | 第40-41页 |
| ·致密层物相表征 | 第41页 |
| ·致密层-衬底系统应力分析 | 第41-42页 |
| ·致密层-衬底系统抗热震性分析 | 第42-43页 |
| ·致密层-衬底断面SEM分析 | 第43页 |
| ·致密层表面形貌的AFM分析 | 第43页 |
| ·致密层表面形貌研究 | 第43页 |
| ·致密层纳米硬度及弹性模量的测试 | 第43-44页 |
| ·致密层厚度检测 | 第44-45页 |
| 第3章 磁控溅射法制备的硅致密层沉积制备参数优化 | 第45-80页 |
| ·沉积过程模拟 | 第45-49页 |
| ·建模 | 第45-47页 |
| ·模拟过程 | 第47-49页 |
| ·致密层沉积模拟结果 | 第49-54页 |
| ·衬底表面粗糙度的影响 | 第49-51页 |
| ·入射方向对致密层性能的影响 | 第51-53页 |
| ·沉积速率的影响 | 第53-54页 |
| ·沉积温度对致密层的影响 | 第54页 |
| ·致密层-衬底系统力学性能的有限元分析 | 第54-67页 |
| ·致密层中应力分析 | 第54-57页 |
| ·建模 | 第57-59页 |
| ·有限元分析结果 | 第59-67页 |
| ·系统抗热震性分析 | 第67-70页 |
| ·建模 | 第68页 |
| ·结果与讨论 | 第68-70页 |
| ·致密层-衬底系统性能的分子动力学分析 | 第70-79页 |
| ·模拟条件 | 第72-74页 |
| ·结果与讨论 | 第74-79页 |
| ·本章小结 | 第79-80页 |
| 第4章 磁控溅射法制备的硅致密层组织性能研究 | 第80-104页 |
| ·硅致密层的制备 | 第80-81页 |
| ·试样前处理 | 第80页 |
| ·硅致密层沉积 | 第80-81页 |
| ·硅致密层组织分析 | 第81-98页 |
| ·致密层晶体结构分析 | 第81-84页 |
| ·致密层与衬底结合强度 | 第84页 |
| ·致密层厚度 | 第84-93页 |
| ·致密层孔隙率分析 | 第93-94页 |
| ·硅致密层断面SEM分析 | 第94-95页 |
| ·致密层表面粗糙度 | 第95-98页 |
| ·硅致密层性能研究 | 第98-103页 |
| ·硅薄膜纳米硬度及弹性模量 | 第98-100页 |
| ·致密层抗热震性分析 | 第100-103页 |
| ·本章小结 | 第103-104页 |
| 第5章 致密层的其他制备工艺及性能研究 | 第104-115页 |
| ·PE-CVD硅致密层性能研究 | 第104-108页 |
| ·致密层-衬底结合力 | 第104-105页 |
| ·致密层表面形貌 | 第105页 |
| ·致密层残余应力 | 第105-106页 |
| ·致密层结构特征 | 第106-108页 |
| ·EB-PVD硅致密层性能分析 | 第108-109页 |
| ·致密层表面形貌 | 第108页 |
| ·致密层结构 | 第108-109页 |
| ·CVD碳化硅致密层性能分析 | 第109-113页 |
| ·结合强度 | 第110页 |
| ·残余应力 | 第110-111页 |
| ·致密层表面形貌及粗糙度 | 第111-113页 |
| ·化学气相沉积碳化硅致密层物相分析 | 第113页 |
| ·不同制备方法致密层性能之间的比较 | 第113-114页 |
| ·本章小结 | 第114-115页 |
| 结论 | 第115-117页 |
| 参考文献 | 第117-127页 |
| 附录A 有限元计算命令流 | 第127-132页 |
| 附录B 不同温度下系统能量 | 第132-133页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文 | 第133-134页 |
| 专利申请 | 第134-136页 |
| 致谢 | 第136-137页 |
| 个人简历 | 第137页 |
