| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-15页 |
| ·课题背景及研究的意义 | 第10-12页 |
| ·论文的结构安排 | 第12-14页 |
| 参考文献 | 第14-15页 |
| 第二章 晶片键合技术综述 | 第15-26页 |
| ·晶片键合技术的起源及历史 | 第15-16页 |
| ·晶片键合技术原理 | 第16-17页 |
| ·晶片键合技术方法 | 第17-21页 |
| ·硅基键合技术在光电子领域的应用 | 第21-25页 |
| ·键合法制备硅基激光器 | 第22-23页 |
| ·键合法制备硅基探测器 | 第23-25页 |
| 参考文献 | 第25-26页 |
| 第三章 InP/Si键合力学性能分析 | 第26-48页 |
| ·室温晶片键合界面接触弹性理论分析 | 第26-31页 |
| ·晶片表面几何特性对键合的影响 | 第31-39页 |
| ·理论模型 | 第31-37页 |
| ·键合晶片厚度比及键合前沿点对键合的影响 | 第37-39页 |
| ·InP/Si晶片键合引起的应力的研究 | 第39-47页 |
| ·晶片键合应力模型 | 第41-43页 |
| ·晶片键合的剪应力 | 第43-45页 |
| ·晶片键合的正应力 | 第45-47页 |
| 参考文献 | 第47-48页 |
| 第四章 InP/Si键合的电学特性理论研究 | 第48-71页 |
| ·传统p-n结理论分析 | 第48-53页 |
| ·InP/Si异质结电位分布的计算 | 第48-52页 |
| ·InP/Si异质结结电容的计算 | 第52-53页 |
| ·同型异质结理论下的分析 | 第53-57页 |
| ·InP/Si异质结电位分布的计算 | 第53-55页 |
| ·同型异质结理论下的InP/Si异质结电容的计算 | 第55-57页 |
| ·n-InP/n-Si键合电压电流特性分析 | 第57-65页 |
| ·Anderson电子扩散理论模型 | 第57-59页 |
| ·双肖特基模型下的InP/Si伏安特性分析 | 第59-64页 |
| ·实验结果对比及分析 | 第64-65页 |
| ·镜像力对n-InP/n-Si异质结表面势垒高度的影响 | 第65-67页 |
| ·界面能级对n-InP/n-Si异质结伏安特性的影响 | 第67-70页 |
| 参考文献 | 第70-71页 |
| 第五章 n-InP/n-Si低温键合的工艺探索及实验研究 | 第71-83页 |
| ·晶片的表面处理 | 第71-76页 |
| ·传统的RCA清洗法 | 第71-72页 |
| ·晶片表面腐蚀处理 | 第72-73页 |
| ·晶片表面的活化处理 | 第73-76页 |
| ·InP/Si晶片低温键合的实验过程 | 第76-77页 |
| ·键合晶片性能测试 | 第77-79页 |
| ·键合晶片表面形貌 | 第77-78页 |
| ·键合晶片I-V特性测试 | 第78-79页 |
| ·基于键合的DBR透射谱测试 | 第79-82页 |
| 参考文献 | 第82-83页 |
| 致谢 | 第83-84页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第84页 |
