薄膜初期成核的KMC模拟
| 摘要 | 第1-9页 |
| Abstract | 第9-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-15页 |
| ·薄膜及其研究背景 | 第10-11页 |
| ·计算机模拟薄膜生长的发展现状 | 第11-13页 |
| ·薄膜生长的扩散理论 | 第11-12页 |
| ·薄膜生长的反应理论 | 第12-13页 |
| ·本课题的研究意义 | 第13页 |
| ·本课题的主要研究内容及结构 | 第13-15页 |
| ·主要研究内容 | 第13页 |
| ·本文结构 | 第13-15页 |
| 第2章 薄膜的成核生长 | 第15-27页 |
| ·薄膜的表面形核 | 第15-22页 |
| ·沉积原子的吸附过程 | 第15-17页 |
| ·原子的脱附过程 | 第17页 |
| ·原子的迁移过程 | 第17-19页 |
| ·“活性剂”系统中的助交换过程 | 第19-21页 |
| ·表面活性剂对薄膜形核的影响 | 第19-20页 |
| ·原子的助交换过程 | 第20-21页 |
| ·岛核的形成与长大 | 第21-22页 |
| ·成核过程 | 第21页 |
| ·岛密度分析 | 第21-22页 |
| ·岛的尺寸分布 | 第22页 |
| ·岛的生长 | 第22页 |
| ·三维生长对应的几种模式 | 第22-23页 |
| ·模拟薄膜形核的几种模型 | 第23-27页 |
| ·Eden模型 | 第23-24页 |
| ·DLA模型 | 第24-25页 |
| ·RLA模型 | 第25-27页 |
| 第3章 模拟方法的选择 | 第27-34页 |
| ·研究薄膜生长的几种理论方法 | 第27-30页 |
| ·分子动力学方法 | 第27-28页 |
| ·第一原理法 | 第28页 |
| ·动力学蒙特卡罗方法 | 第28-29页 |
| ·三种方法对比 | 第29-30页 |
| ·模型的数学方法 | 第30-34页 |
| ·随机数的产生 | 第30-32页 |
| ·U_rand()随机发生器的验证 | 第32-34页 |
| 第4章 模型的建立 | 第34-43页 |
| ·建模基本思想 | 第34页 |
| ·模型的建立 | 第34-39页 |
| ·改进的KMC模型 | 第35-38页 |
| ·概述 | 第35-36页 |
| ·模型算法描述 | 第36-38页 |
| ·模拟流程图 | 第38页 |
| ·岛核分析 | 第38-39页 |
| ·模型的处理方法 | 第39-43页 |
| ·衬底模型的选择 | 第39页 |
| ·迁移判断方法 | 第39-40页 |
| ·周期性边界条件 | 第40页 |
| ·粒子间的作用势 | 第40-42页 |
| ·原子间的相互作用范围 | 第42-43页 |
| 第5章 模拟结果与讨论 | 第43-55页 |
| ·“干净”系统中的薄膜初期成核 | 第43-52页 |
| ·温度对薄膜成核的影响 | 第43-48页 |
| ·温度对岛密度、岛平均原子数的影响 | 第43-45页 |
| ·温度对平均迁移步数的影响 | 第45页 |
| ·温度对薄膜表面形貌的影响 | 第45-47页 |
| ·温度对薄膜表面粗糙度的影响 | 第47-48页 |
| ·薄膜初期形核随表面覆盖率的变化规律 | 第48-49页 |
| ·薄膜初期形核随最大允许扩散步数的变化规律 | 第49-52页 |
| ·“活性剂”系统中的薄膜初期成核 | 第52-55页 |
| ·衬底温度对薄膜初期成核的影响 | 第52-53页 |
| ·沉积速率对薄膜初期成核的影响 | 第53-55页 |
| 结论 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 附录A 攻读学位期间所发表的学术论文目录 | 第60页 |
