| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-19页 |
| ·射频电子技术发展简介 | 第11-12页 |
| ·射频前端接收机的基本结构 | 第12-16页 |
| ·超外差式接收机 | 第12-13页 |
| ·零中频式接收机 | 第13-14页 |
| ·镜像抑制接收机 | 第14-15页 |
| ·数字中频接收机 | 第15-16页 |
| ·射频接收机的频率确定与CMOS的工艺选择 | 第16-17页 |
| ·论文的主要任务及章节安排 | 第17-19页 |
| 第二章 无源元件的射频特性与 MOSFET的物理基础 | 第19-33页 |
| ·无源元件的射频特性 | 第19-23页 |
| ·高频电容 | 第19-20页 |
| ·高频电感 | 第20-21页 |
| ·高频电阻 | 第21-23页 |
| ·MOSFET的物理基础 | 第23-33页 |
| ·MOSFET的结构 | 第23-24页 |
| ·MOSFET长沟道模型 | 第24-27页 |
| ·MOSFET短沟道模型 | 第27-28页 |
| ·MOSFET的动态元件 | 第28-30页 |
| ·MOSFET高频小信号等效电路 | 第30-33页 |
| 第三章 噪声理论与非线性失真 | 第33-44页 |
| ·噪声模型 | 第33-36页 |
| ·热噪声 | 第33-35页 |
| ·散粒噪声 | 第35页 |
| ·闪烁噪声(1/f噪声) | 第35-36页 |
| ·经典的二端口网络噪声理论 | 第36-38页 |
| ·非线性失真 | 第38-44页 |
| ·非线性特性 | 第38-39页 |
| ·非线性失真对电路的影响 | 第39-43页 |
| ·多级非线性级联特性 | 第43-44页 |
| 第四章 低噪声放大器 | 第44-73页 |
| ·低噪声放大器的主要性能指标 | 第44-47页 |
| ·噪声系数NF | 第44-45页 |
| ·增益G | 第45页 |
| ·反向隔离度 | 第45-46页 |
| ·线性度 | 第46-47页 |
| ·低噪声放大器的稳定性判定 | 第47-52页 |
| ·稳定性判定圆 | 第47-50页 |
| ·绝对稳定条件 | 第50-51页 |
| ·放大器的稳定措施 | 第51-52页 |
| ·低噪声放大器的主要结构介绍 | 第52-58页 |
| ·共栅结构 | 第52-53页 |
| ·共源共栅结构 | 第53-57页 |
| ·差分结构 | 第57-58页 |
| ·功耗约束的低噪声放大器的噪声优化技术 | 第58-61页 |
| ·2.4GHz低噪声放大器的设计 | 第61-73页 |
| ·指标要求 | 第61页 |
| ·2.4GHz低噪声放大器的电路设计 | 第61-67页 |
| ·ADS仿真及仿真结果分析 | 第67-71页 |
| ·2.4GHz低噪声放大器设计小结 | 第71-73页 |
| 第五章 混频器 | 第73-95页 |
| ·混频器的基本工作原理 | 第73-74页 |
| ·混频器的主要性能指标 | 第74-78页 |
| ·混频器的噪声系数 | 第74-75页 |
| ·变频增益(损耗) | 第75-76页 |
| ·混频器的线性度 | 第76-77页 |
| ·无乱真信号的动态范围 | 第77-78页 |
| ·端口隔离度 | 第78页 |
| ·混频器的主要结构介绍 | 第78-85页 |
| ·无源二极管双平衡混频器 | 第78-80页 |
| ·单平衡混频器 | 第80-83页 |
| ·吉尔伯特双平衡混频器 | 第83-85页 |
| ·吉尔伯特混频器的设计 | 第85-95页 |
| ·指标要求 | 第85-86页 |
| ·吉尔伯特混频器的电路设计 | 第86-89页 |
| ·ADS仿真及仿真结果分析 | 第89-93页 |
| ·吉尔伯特混频器设计小结 | 第93-95页 |
| 第六章 结论 | 第95-98页 |
| ·工作总结 | 第95-96页 |
| ·论文的创新之处 | 第96页 |
| ·后续工作建议及展望 | 第96-98页 |
| 参考文献 | 第98-101页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第101-102页 |
| 致谢 | 第102页 |